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RSS订阅原创 三极管
这里记住符号看箭头，都是从P到N的，E极为N就是NPN型，反之PNP型。记住NPN的结构发射区的N多子浓度高，基极多子浓度低，很薄，集电区面积大，但是多子浓度不高！！！这幅图是重点。首先我们知道晶体管发放大原理是发射结正偏，集电结反偏（NPN）。所以当基极加上一个正电压时，发射结导通，发射区的多子浓度高流向基区，也就是扩散运动。同时基区的多子空穴与扩散来的自由电子复合，又因为VCC的正电压导...
2020-03-01 17:41:47
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原创 PN结的理解
载流子是包括自由电子和空穴的。而空穴所谓的运动方向其实是对于自由电子来说的，与自由电子的方向相反。温度的升高会使载流子增加。回答：为了能够控制导电性。当加入P后与其他的相比较会多出一个电子，但这个电子很容易挣脱，形成自由电子所以N型半导体的多数载流子是自由电子少数载流子是空穴。回答：少了，因为多数载流子的浓度很高，很容易与空穴复合，导致空穴的数目减少。与上述的N型半导体相同，P型半...
2020-02-26 15:34:38
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原创 绝缘栅型场效应管（N沟道）
绝缘栅型的场效应管多了一个衬底B，上图中的箭头向里，说明是P到N的，也就是N沟道。中间是虚线，漏极和源级没有连接在一起说明中间是有绝缘层的，为增强型。 当增强型想要形成N沟道时，需要Ugs加正向电压，是的两个N+之间产生电子区域（这个为什么是电子区域我现在也不清楚。。）最终形成N沟道的反型层。当然这中间需要Ugs的电压达到一定的值。第一幅图，是当Ugs开启N沟道后，Uds增加，Id也增加。这...
2020-02-25 21:13:52
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原创 场效应管理解笔记（N沟道结型场效应管）
要学集成电路了，可惜电路，模电学的一团糟，没办法只能从头学。。场效应管的符号箭头都是从P到N的，所以对应右图的示意图。场效应管的源级对应三极管的发射级（e），栅极对应基级（b），漏极对应集电极（c）。场效应管的截止区对应三级管的截止区，恒流区对应饱和区，可变电阻区对应放大区。当Ugs为反向电压时，电压越大N沟道越小，当N沟道消失时Ugs那时的电压称之为夹断电压（Ugs（off））。这里注意...
2020-02-25 18:55:16
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原创 函数指针，函数指针做函数参数，返回指针的函数
函数指针在程序中定义一个函数，在编译时，编译系统为函数代码分配一段存储空间，这段存储空间的其实地址称为这个函数的指针。int square(int);int square(int num) { return num * num;}int main(){ /*int i = 3, y = 4; printf("互换前:i=%d,y=%d\r\n", i, y); swap(...
2020-01-17 09:56:36
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原创 通过指针引用多维数组
通过指针引用多维数组第一次记录下这个让我困惑好久的问题。假设定义了一个二维数组如下：#include"stdio.h"int main(){ int shuzu[][4] = { { 1,2,3,4 } ,{5,6,7,8} }; printf("%p\n", shuzu); printf("%d\n", *shuzu[0]); printf("%p\n",*shuzu); p...
2019-12-20 20:54:55
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MSP430f5529捕获上升沿，当捕获一定数量时驱动步进电机。
2019-04-11
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