- 博客(2)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 浅谈GaN射频功率管（一）
本文谈一下GaN射频功率管的特性。对比Si管和GaAs功率管，为什么GaN射频功率管更适合宽带、高功率应用。List item氮化镓是一种宽带隙化合物半导体材料，近年来，其在射频功率放大器中的应用受到广泛的关注。复合半导体材料通常由两种或两种以上的元素组成，在元素周期表中，通常一种为三价元素，另一种为五价元素。氮化镓和砷化镓一样，都是III-V半导体，但是GaN的带隙更宽（3.4 eV，而1.43 eV）。这意味着GaN具有更高的击穿电压，因此可以在更高的漏极电压下工作，通常为28 V，而GaAs为
2021-02-24 08:53:36
2337
原创 2020-10-21
欢迎大家邀请自己的小伙伴入群，资料共享/技术交流/求职推荐/器件采购等相关都可以欢迎加入射频硬件技术交流群1158686201本群宗旨:1、经验技术交流、资料共享2、方便工程师寻找物料供应商3、跳槽机会推荐禁止讨论政治问题！...
2020-10-21 13:46:36
47
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人