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原创 latex引用硕士论文出现master‘s thesis或者PhD thesis如何删掉

自己手动修改 名字.bbl 文件。网上没搜到什么好方法。

转载 word加参考文献

论文中的参考文献自动编号及在正文中自动更新-百度经验 (baidu.com)

原创 如何仿真MOS电容的电压-电容曲线？

按照上面内容设置完port源之后，在ADE L中选择sp仿真，在Ports一栏选择原理图中的port器件，然后在固定频率下扫描电容的偏压「VB」，其中频率固定为 f=12π.需要注意的是sp仿真得到的是阻抗值，按照上面公式所述，由于仿真时取频率为 f=12π ，所以得到的阻抗值在数值上与电容值的倒数一样，那么对仿真结果取倒数即可得到电容值。下图为处理后的sp仿真结果，黄色曲线为理想电容，接近1pF，其中误差值来源于固定频率的值使用了近似数，红色曲线为MOS电容的电压-电容曲线。

原创 变压器励磁电感以及漏感

励磁电感（magnetic inductance）

原创 磁饱和的产生原因和影响；磁化强度H和磁感应强度B

先说明一下什么是磁饱和。导磁物质可理解为由一个一个方向杂乱的磁畴组成。有外加磁场时，随磁场强度升高，磁畴变得同向的程度也升高，到所有磁畴都同向时，就达到了磁饱和。变压器铁芯在线圈产生的磁场中，线圈电流增大，感应磁场也增大，感应磁场是阻碍电流变化的，在交变电流情况下会达到一个平衡，感生电动势和电源电压时时相等，电流也维持在一个稳定的交流值。一旦铁芯达到磁饱和，感生电动势就不再随着电流增加而增加，再有电流的增加，增量部分就是短路电流，不再受感生电动势的制约，所以会烧毁变压器。为什么变压器磁饱和之后感量会下降？

原创 开关电源技术

图解伏秒积安秒积_我叫夏满满的博客-CSDN博客_伏秒积开关电源基础知识_耗子0_0的博客-CSDN博客_开关电源csdn 开关电源(DC/DC)原理分析_大不列颠小小咸鱼的博客-CSDN博客_dcdc原理 解析MOS管电流方向反及其体二极管能过多大电流问题_KIA半导体的博客-CSDN博客_mos管 体二极管

原创 MOS的体二极管以及寄生二极管

而电感的电流是不能断的，死区时间电感的电流就是走的下管的体二极管。这个管子导通电流可以到59A，在10us时间内能通过的电流是236A，而体二极管也是236A，二者是相同的，而且都很大，也就是说体二极管的瞬间电流根本就不会成为使用的瓶颈。也就是说，下管NMOS的电流方向是从S到D的，也就是反着流，并且这个电流可以是很大的，因为电感的电流是可以比较大的，跟负载有关。从上表直接可以看到，体二极管的持续电流是可以到38A，脉冲电流是可以到236A的，同时，也可以看到，二极管最大导通电压是1V。

原创 施密特触发器特性

它也有两个稳定状态，但与一般触发器不同的是，施密特触发器采用电位触发方式，其状态由输入信号电位维持；对于负向递减和正向递增两种不同变化方向的输入信号，有不同的。能够处理的方波波形，而且由于施密特触发器具有滞回特性，所以可用于抗干扰，其应用包括在开回路配置中用于抗扰，以及在闭回路正回授/负回授配置中用于实现多谐。施密特触发器可作为波形整形电路，能将模拟信号波形整形为。dt trigger）是包含正回授的。施密特触发器（Sch。

原创 cascode电流镜

下面的镜像管决定电流。

转载 电阻的温度系数

4）轻掺杂的半导体材料（接近绝缘体的特性）构成的电阻是负温系数，重掺杂的半导体（接近金属导体特性）呈正温系数！1）低阻半导体，重掺杂，高温——晶格振动加剧, 载流子散射加剧——迁移率下降——电阻升高——正温度系数,2）高阻半导体，轻掺杂，高温——本征载流子ni激发——载流子浓度增大——电阻减小——负温度系数。电阻率=q*u*n，q为电荷量1.6*10^-19，u为迁移率，n为载流子浓度。一般的，poly，n+，p+，nwell，等等都是正温度系数。讨论一下，为什么high poly电阻是负温度系数？

原创 源极跟随器+OP（未解决）

但是两个输入端（反转输入和非反转输入）的FET的VGS之差成为电路输入偏置电压，所以两个源极跟随器使用的FET的VGS应该尽量一致（在放大器中使用时，输入偏置电压被设定增益倍增后变成了电路的输出偏置电压——输出端不需要的直流成分）。这个电路是在OP放大器的反馈环中插入源极跟随器（当然，反馈是从OP放大器的输出端加到非反转输入侧的源极跟随器的栅极上），因为源极跟随器没有电压增益，所以没有必要为电路工作的稳定性而追加新的相位补偿电路。前级采用FET的OP放大器要比前级采用晶体管的OP放大器的噪声特性差些。

转载 LDO的原理以及重要指标

LDO的负载电流或输入输出电压差降增加时 ，会迅速导致功耗的增加，在选择LDO的封装时必须考虑到这一因素，确保其可以承担这一功耗。它与输出端的电容值，电容的ESR，LDO控制环路的增益带宽以及负载电流变化的大小和速率有关。LDO的 PSRR数据是用来量化LDO对不同频率的输入电源纹波的抑制能力的，它反映了LDO不受噪声和电压波动、保持输出电压稳定的能力。在一些对噪声敏感的电路中，如ADC，DAC，Camera sensor模拟电压等，必须选择LDO，而且是高PSRR的LDO，而不是DCDC。

原创 电容两端电压不能突变结论

当V1的点位发生突变的时候，如果左边电阻很小，那么电容左端的点位将会随着V1突变，进而导致右端电位跟着突变，如果左边电阻巨大，那么……电容右端就会保持在V2，而电容左端也不会突变，进而V1就自个儿给电容充放电去了= =，不会耦合到右边。真实的电路中，电阻是永远存在的，电容两端的充放电难度（例如较为简单的电路情形就是电阻的大小）决定了电容哪边的电势可以突变，进而耦合到另外一端。为了进一步理解这件事，我们看下面的电路。......

原创 反相器，传输门，电平移位

A2输入1，p管关断，n管开启，相当于p管做大电阻，把A3压低，vdsn很小，处于深度线性区，也相当于小电阻，根据电阻分压也能得到A3输出电压为0。

转载 MOS的亚阈值区和深度线性区

对于CMOS管，大家都清楚线性区和饱和区，管子的工作状态一般也在饱和区。电压电流关系如下：不过gm的两段论还是粗浅了，在深亚微米的工艺下，CMOS不仅工作在饱和区和线性区，还有可能工作在亚阈值区和深三极管区。亚阈值区（即second-effect order效应中的subthreshold conduction）是CMOS器件在现实中并不会像理想情况那样，在Vgs

转载 MOS基础工作原理——从内部结构理解

栅极电流对Cgs和Cgd充电，Vgs上升到开启电压Vgs(th)，此间，MOS没有开启，无电流通过，即MOS管的截止区。：Vgs达到Vth后，MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io，出现电流Ids，Ids与Vgs呈线性关系，这个阶段是MOS管的可变电阻区，或者叫线性区。如果要进一步了解MOS管的工作原理，剖析MOS管由截止到开启的全过程，必须建立一个完整的电路结构模型，引入寄生参数，如下图。由上面的分析可以看出米勒平台是有害的，造成开启延时，不能快速进入可变电阻区，导致损耗严重，但是这个效应又是无法避免的。

原创 齐纳二极管

利用反向稳压特性。

原创 MOS的串联并联

串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个电流表达式，然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。如果两个管子参数一样。并联时，各点的电压对应相等，两管子电流相等，由电流的表达式知道总的电流等于同样的电压下2W/L的管子的电流。...

转载 图解伏秒积安秒积

右边是di对时间的积分，这个积分结果可不是电流，而是在0～t这段时间内通过电感电流的增量Δ，也就是这段时间内电感中电流的变化量。左边是通过电容的电流对时间的积分，意思就是电容在0～t这段时间内充或者放的电量，在国际单位制中单位是库仑，也就是安·秒。我们还知道：电感中电流与电感的磁通量直接相关，对空气芯电感，磁通量与电感中电流成正比，对铁芯电感，磁通量不大时磁通量也和电流成正比。所以，无论是电容还是电感，要恢复到原来的状态，对电感来说，两端电压对时间的积分必须为零，对电容来说，通过电流对时间的积分必须为零。.

原创 反激变换器

原边开关管关断时，由于电感电流不能突变，原边电流通过磁芯耦合到副边（既能量在此时由原边传递到副边），此时副边绕组有电流，且原边电流与匝比的乘积等于副边电流与匝比的乘积（术语叫做磁动势平衡）。正常情况变压器不开气隙，反激变压器开气隙，并且（开关管导通时）能量实际是储存于气隙中的（因为气隙的磁阻远大于磁芯，所以磁位降都降在气隙上，自然能量也在气隙中）。正激式变压器原副边同时导通（能量是通过磁场感应传递的）,电压比等于匝比。反激变压器原副边间隔导通，原边导通时副边不导通，原边是电感储能。...

原创 解决draw.io输出svg格式导入到word显示text is not svg

解决draw.io输出svg格式导入到word显示text is not svgctrl+a全选，然后将下面两个取消勾选即可

原创 改默认DC operating里面的参数

annotations-setup

原创 改变cadence的字体大小

CIW中打入

原创 全差分运放

一级一级调，未导通调共模电平，增益小，看哪个mos的self_gain小调宽长比，调完之后重新找共模电平。

原创 清理C盘一些缓存

钉钉1.钉钉默认的缓存文件在 Cache 文件夹下："C:\Users\Administrator\AppData\Local\DingTalk_87\Cache" 打开资源管理器，把Cache 删除了，选中 按del，或者右键 删除2.在你想要保存钉钉缓存的地方 建立一个Cache文件夹(例如我在E:\TEMP\Cache)3.在开始菜单搜索"cmd" 在"cmd"上右键以管理员身份运行，在弹出确认的窗口里点“是”4.在弹出的命令行窗口输入 ： mklink /D "上面获取的地址"

原创 cadence的parametric analysis设置

原创 cadence DC仿真后如何查看每个管子的参数

一、选DC Operating point，选mos管二、选result browser，找dc里面的

转载 CentOS7安装Cadence IC617+MMSIM151+Calibre2015教程

CentOS7安装Cadence IC617+MMSIM151+Calibre2015教程 - 知乎一、安装前介绍Cadence 官网的平台有很多，根据自己的需要选择合适的平台，本文介绍其中的 Cstom IC / Analog/ RF Design （RF IC 设计）安装及其相关设置。安装的组件有： Cadence Virtuoso IC suite原理图编辑器…https://zhuanlan.zhihu.com/p/343288844...

原创 MOS管的特征频率ft

一、定义特征频率是表征晶体管在高频时放大能力的一个基本参量是指其电流放大系数下降到1时的频率；二、计算方法画出小信号模型三、分析因此增大过驱动电压，减小L可以增大ft。增加载流子浓度也可以提高ft，温度上升，载流子浓度下降，但是此时Vth也下降，过驱动电压上升，因此温度对于ft影响比较复杂。增大偏置电流可以增大ft（ft正比于直流偏置电流的平方根）gm=K(Vgs-Vth)，因此增大过驱动电压会使gm上升，但是ft下降四、仿真.........

原创 PSRR基础概念

PSRR（Power supply rejection ratio）又称电源抑制比，是衡量电路对于输入电源中纹波抑制大小的重要参数，表示为输出纹波和输入纹波的对数比，单位为分贝（dB）公式为PSRR=

原创 cadence一些快捷键

x 打开descend，进入模块内部上箭头退出模块

原创 根轨迹法分析二阶，三阶系统运放的稳定性

一般主极点确定，次极点未确定情况下，判断1+H(s)=0，此时反馈系数f为1，即相位裕度最小稳定性最差的情况下，构建1+p2*a(s)=0，解出p2从0变到无穷下的根轨迹图像对于根轨迹图像，左半平面的比较稳定，虚数越大震荡频率越高，实数越大，响应速度越快。一般取阻尼系数(Damping)大，过冲(Overshoot)小，且极点频率小，三者综合考虑。例如求下式的根轨迹图取六个点，3个在实轴上，4e5第二象限上，1e6在虚轴上，2e5在右半平面得到幅频曲线以及闭环阶跃响应曲线如下（4..

原创 各种结构的计算

原创 电源分割技术

运用于CCVS和VCCS类型，利用电源替换技术原理如a图，gmv1将①送给②，改成图b后①送给③再从③送给②，其效果是一样的举例先分割在替换，替换原理压控电流源等效成一个电阻_是抹茶味的啊的博客-CSDN博客...

原创 压控电流源等效成一个电阻

压控电流源两端电压就是控制其电压时可以等效

原创 *Error* No simulation output data has been selected.(cadence仿真)

要先设置直流状态仿真一遍然后就可以获取calculator中的list值

原创 求矩阵的逆矩阵、伴随矩阵、特征根

1.特征根2.逆矩阵三种方法（伴随矩阵是补得那个）

原创 Cadence改背景色

白色转成黑色背景：打开终端命令窗口后，输入echo "Opus.editorBackground: white" | xrdb -merge黑色转换成白色背景：打开终端命令窗口后，输入echo "Opus.editorBackground: black" | xrdb -merge

原创 Cadence Virtuoso 电路元器件旁边的参数显示出来

选择component parameters

原创 Cadence报错ERROR: Netlister: can‘t find the date RFIC_sim/gmid/schematic was last extra

ERROR: Netlister: can't find the date RFIC_sim/gmid/schematic was last extra运行先一定要check ＆ save（x）