西北工业大学832材料科学基础西工大考研复习笔记资料.rar
西工大材料学院纳米能源方向学长瓜皮酱独家整理,原创版权
内容:832材料科学基础背诵参考;
材科基历年考题考点分布(05-20);
材科基历年考题练习;
材科基历年偏僻考点;
分章节笔记。
知识整理不易,且用且珍惜,希望能有用!
西北工业大学827信号与系统考研真题与答案.rar
上岸学长整理,一份考研资料足以!无需另寻他家!
内容:02-21年真题和答案,部分答案有版权;
信号与系统课件+复习大纲;
信号与系统往年期末真题及答案。
西北工业大学西工大数字图像处理实验报告.docx
数字图像处理实验
实验报告要求:
实验报告应包含实验名称、实验内容、思想及原理、算法设计、代码设计及实现、实验结果及分析、结论等内容。实验结果必须包括原图像、结果图像和必要的数据图像。
实验1 直方图均衡化
编码实现直方图均衡化算法(不能使用第三方直方图均衡化函数)。
实验2 频率域滤波
图像中含有周期性干扰,设计使用频率域分析方法检测和去除图像周期性干扰的算法(可以使用第三方傅里叶变换和反变换函数)。
实验3 彩色图像去噪
对RGB彩色空间和HIS彩色空间去噪效果进行比较分析。按彩色数字图像获取过程对彩色图像添加噪声,在RGB和HIS彩色空间分别进行去噪,比较两者的差异并分析讨论。
实验4 形态学图像处理
设计和实现腐蚀、膨胀算法。并设计算法实现对二值图像中不同大小圆形区域的检测和提取(假设二值图像中只有圆形区域)。
实验5 图像分割
找一幅现实世界的图像,设计算法将图像中某一特定物体区域分割出来。
西北工业大学西工大射频集成电路设计实验(大作业).doc
西北工业大学西工大射频集成电路设计实验(大作业).doc
西北工业大学西工大射频集成电路设计实验运算放大器的设计与仿真 .docx
两级运算放大器的设计与仿真
本次参考教材,结合实际问题,设计两级全差分套筒式运算放大器。根据第五章的具体要求指标,分析约束条件,设计出差分放大器的共源共栅主体结构、共模负反馈结构,以及电压偏置电路。
一、 设计运算放大器结构及参数要求
1、 电路结构设计
两级原全差分共源共栅放大器
共模负反馈结构部分
电压偏置偏置电路
2、 运放电路设计指标分析
完整电路图:
说明:由于反馈电路与偏置电路直接与运放主电路输入连接,所以设计时并没有同教材步骤重复建立它们的symbol版图,这样可以直接使模块与主电路图直接相连,而不需要再次生成symbol对运放输入调用。
三、 仿真流程与结果
1、 运算放大器的交流特性仿真
激励源设置
设置工艺库模型
AC仿真参数
运放交流特性仿真结果
2、 运算放大器瞬态特性仿真
激励源设置
瞬态特性仿真结果
3、 压摆率仿真
激励源设置
标注输出波形
4、 共模抑制比仿真
激励源设置
共模增益特性
西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验八.docx
全差分运算放大器的设计
根据运放要求,直流增益大于 80dB ,单位增益带宽大于 50MHz ,单边输出摆幅大于 0.9V ,设计为共源共栅级联与共源极两级全差分运算放大器
西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验七.docx
带隙基准电路的设计
1、设计电路图:
2. 温度系数仿真结果:
3. 线性灵敏度的仿真结果:
附加:流镜自偏置电路设计:
1. 电路设计:
2. 温度系数仿真结果:
西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验六.docx
一、扫描栅源电压获取相关曲线。按照下图拓扑搭建电路。
二、扫描漏源电压获取相关曲线。对下图电路进行直流分析 ,进行扫描。获取以下曲线。
西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验五.docx
一、一阶工艺参数的提取
1. Bsim4 模型中的 mos 管共包含多少个参数?
答:297
2. 找到栅氧化层厚度 toxref,计算单位面积的栅氧化层电容(介质为 SiO2,
计算结果以 fF/μm2为单位)。
答:Cox=11.5fFd/um^2
3. 低压 NMOS(cell name 为 nmos2,model name 为 nch)尺寸为 10μ/0.18μ,
漏源电压为1.8V,在栅源电压分别为1V和1.5V时仿真出器件的漏电流。
在此两组数据的基础上根据长沟道模型计算出 unCox(W/L)及 VTHN
答:栅源电压为1V时,如图
栅源电压为1.5V时,如图
由公式id=1/2unCoxw/l(VGS-VTH)^2可以得到:
VTH=1.2V
4. 根据第 3 问得到的参数,在漏源电压为 1.8V,栅源电压为 1.2V 时重新计
算漏电流的大小。将此结果与仿真结果进行比较,误差为多少?
答:Vds=1.2V时,仿真如图
由id=1/2unCoxw/l(VGS-VTH)^2可得到id=2.99mA 误差为0.19mA.
二、共源级放大器设计
1. 设计一个电流源做负载的共源级,如下图所示。
要求供电电压 1.8V,电流源提供的偏置电流为 0.35mA,输入管为 NMOS,
要求器件面积尺寸尽可能小,低频增益不小于 30。
西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验四.docx
一、 运放原理图及Symbol 建立
1. 最大增益为:49.29;输出偏置电压为2.03V;对应的输入offset为:-1.852e-3V
规定输出的偏置电压为2.124V
衰减到-3dB后,差模取值的范围为:-0.027~-0.016V
输出摆幅为:921.34mV~2.47V
2、功耗为:653.758uW
3、相位裕度为87.67(Deg),单位增益频率为:144.148MHz。
4、共模增益Acm=4.580e-8,所以CMRR=49.2958
西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验三.docx
1、 在对示例中的电路进行零极点分析后,通过必要的仿真确认输出极点及输入极点的值分别为多少?
答:如下所示
电路图
输入极点仿真结果
得到输入极点值为-1.19、-2.35、-7.73
输出极点
由图可得,输出极点值为-8.96、-1.19、-2.35、-7.73.
2、 若将示例中负载电阻改为 10k 和 30K,通过仿真分析电路的零极点及输
出噪声有何变化。观察输出噪声积分区间为(1Hz,100kHz)(1MHz,100MHz)时噪声的主要来源有何不同?
当负载电阻为10K:
西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验二
1、对示例电路进行瞬态仿真时,输入信号采用阶跃信号(Vpwl),阶跃信号
从 990mV 阶跃到 1010mV,上升(或下降)时间设置为 1ns。给出输入输出信号
的仿真波形; 分析输出信号建立到约最终值 63% 时对应的建立时间;这一建立
时间与示例中 AC 仿真中的-3dB 频率有何关联,通过仿真和计算说明。
说明:
Voutmax=1.033V
Voutmin=759.2mV
Vout63%=916.27mV
对应的建立时间t=0.5013ns
-3dB对应的频率为1345.360MHz
f=1/t=1956.236MHz
这一建立时间与示例中 AC 仿真中的-3dB 频率近似
2、将示例中电路的负载电阻更换为二极管连接形式的 P 管,尺寸为
W/L=20u/350n,通过直流扫描找到增益最大的工作点。在此工作点下进行瞬态
仿真(输入采用正弦波)及交流仿真,比较该交流仿真得到的增益结果与示例中
得到的增益大小。
电路图:
西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验一.docx
1、将示例电路中的电阻更换为 15k,对电路进行 DC 分析,请问该电路能获
得的最高增益是多少?对应的输入直流电压为多少?
增益A=1.431\1.313=1.09
Vin=1.313v
2、将示例电路中晶体管按比例放大至 W/L=4u/700n, 在输入为 1.2V 的情况
下做 DC 分析,请比较尺寸改变前后晶体管工作点中的关键参数有何变化?
原来的关键参数点:
4u/700n关键参数点:
西北工业大学西工大集成电路cad实验报告.docx
实验一:二输入与非门的版图设计、验证以及后仿真
1) 使用Cadence Schematic画二输入与门电路图,(W/L)P=4um/0.6um, (W/L)N=2um/0.6um;
2) 使用Cadence Virtuoso Layout XL设计版图:(W/L)P=4um/0.6um,(W/L)N=2um/0.6um;
3) 使用Calibre工具进行DRC、LVS验证;
实验二:电阻的版图设计
1) 请自行选择使用库中的电阻,设计如下8K、4K、2K和1K电阻串联的版图;
2) 完成DRC和LVS;
3) 注意这组电阻之间的匹配以及dummy电阻的添加。
西工大单片机实验报告.docx
计数器与计时器
一. 实验目的:
1. 学习单片机计数器的使用和编程。
2. 熟悉计数器中断处理程序的编程。
使用工具:keil及proteus 软件
二. 实验内容与程序步骤:
实验内容:
1. 利用AT89C51单片机来制作一个手动计数器,在AT89C51单片机的P3.7管脚接一个轻触开关,作为手动计数的按钮,用单片机的P2.0-P2.7接一个共阴数码管,作为00-99 计数的个位数显示,用单片机的P0.0-P0.7接一个共阴数码管,作为00-99计数的十位数显示。
2. 在 AT89C51单片机的P0和P2端口分别接有两个共阴数码管,P0口驱动显示秒时间的十位,而P2口驱动显示秒时间的个位。
电路原理图如下图所示:
西北工业大学 SOC设计实践实验报告二.docx
题目二 综合与后端设计
选取总代码长度不少于1000行的设计,使用DC工具完成综合,使用ICC工具完成后端设计。
实验说明:
1、工作环境设置:
(1)将/cad/share/work目录拷贝到自己家目录下,
命令为:cp -r /cad/share/work ~
(2)work目录下有两个子目录traffic_light和soc2019(可修改为自己的设计模块名称)分别为两个题目的工作目录。
其中每个目录下有rtl和scripts两个子目录,
完成的rtl代码放置在rtl子目录下。
完成的DC和ICC的脚本文件放置在scripts子目录下。
2、提交数据
(1)实验数据保存在服务器自己目录下的work子目录,以备检查。
(2)实验报告纸质版双面打印。
(3)纸质版实验报告交由各班班长统一收齐交至毅字楼609。
实验一报告提交时间为2019年6月22日上午。
实验二报告提交时间为2019年7月5日上午。
未按时交报告者,每隔过2天相应题目的总成绩降10%,报告必须在放假前提交。
3、实验内容(实验一完成1-3,实验二完成3-4)
(1)使用Verilog语言完成设计;
(2)编写testbench,并使用Synopsys VCS进行仿真验证;
(3)使用Synopsys DC进行综合。
1)在~/work/xxx/scripts目录下,编写约束文件xxx.con,题目一的约束(题目二根据设计报告设置约束参数)如下:
1.创建时钟信号,设定频率为2MHz;
2.时钟信号的source latency为25ns;
3.时钟信号的network latency为13ns;
4.时钟信号的setup uncertainty为[学号最后两位];
5.时钟信号的transition为22ns;
6.除clk之外的输入信号的最大延迟时间为35ns;
7.除clk之外输入信号使用bufbd1进行驱动;
8.所有输出信号的延迟时间为50ns;
9.输出信号连接负载电容2fF;
10.设置版图的利用率为0.8;
11.设置版图的宽长比为1;
12.所有的输入port在左边,输出port在右边;
2)在script目录下,编写运行脚本dc.tcl,将所有要执行的命令写在该脚本中。脚本中包含,
将report_constraint -all写到文件rc.rpt,
将report_timing写到文件rt.rpt,
将report_area写到文件ra.rpt,
将综合后结果写入.ddc文件中。
3)运行该脚本,完成综合。综合后电路的电路图截屏保存下来。对report进行分析。
(4)使用Synopsys ICC进行版图设计。
1)参考~/work/xxx/scripts/icc.tcl提示,修改完善脚本。
4、实验报告要求(实验一完成1-6,实验二完成4-9)
(1)使用Verilog HDL完成设计。
(2)编写testbench。
(3)VCS完成仿真,对仿真结果进行分析。
(4)编写Synopsys DC综合脚本文件dc.tcl以及约束文件xxx.con。
(5)使用synopsys DC进行综合,给出综合后的报告,包括rc.rpt,rt.rpt,ra.rpt,并分析结果(题目二需要在xxx.v模块中加入io。)。
(6)综合后的电路图。
(7)分析ICC版图设计脚本,根据选择的设计对该脚本进行修改完善。
(8)floorplan,place,cts,route,finish各步骤版图截图。
(9)Route之后的timing和physical分析。
西北工业大学 SOC设计实践实验报告一.docx
题目一 交通灯控制电路
使用Verilog语言设计十字路口交通灯控制电路,要求至少有红,黄,绿三盏灯。
实验说明:
1、工作环境设置:
(1)将/cad/share/work目录拷贝到自己家目录下,
命令为:cp -r /cad/share/work ~
(2)work目录下有两个子目录traffic_light和soc2019(可修改为自己的设计模块名称)分别为两个题目的工作目录。
其中每个目录下有rtl和scripts两个子目录,
完成的rtl代码放置在rtl子目录下。
完成的DC和ICC的脚本文件放置在scripts子目录下。
2、提交数据
(1)实验数据保存在服务器自己目录下的work子目录,以备检查。
(2)实验报告纸质版双面打印。
(3)纸质版实验报告交由各班班长统一收齐交至毅字楼609。
实验一报告提交时间为2019年6月22日上午。
实验二报告提交时间为2019年7月5日上午。
未按时交报告者,每隔过2天相应题目的总成绩降10%,报告必须在放假前提交。
3、实验内容(实验一完成1-3,实验二完成3-4)
(1)使用Verilog语言完成设计;
(2)编写testbench,并使用Synopsys VCS进行仿真验证;
(3)使用Synopsys DC进行综合。
1)在~/work/xxx/scripts目录下,编写约束文件xxx.con,题目一的约束(题目二根据设计报告设置约束参数)如下:
1.创建时钟信号,设定频率为2MHz;
2.时钟信号的source latency为25ns;
3.时钟信号的network latency为13ns;
4.时钟信号的setup uncertainty为[学号最后两位];
5.时钟信号的transition为22ns;
6.除clk之外的输入信号的最大延迟时间为35ns;
7.除clk之外输入信号使用bufbd1进行驱动;
8.所有输出信号的延迟时间为50ns;
9.输出信号连接负载电容2fF;
10.设置版图的利用率为0.8;
11.设置版图的宽长比为1;
12.所有的输入port在左边,输出port在右边;
2)在script目录下,编写运行脚本dc.tcl,将所有要执行的命令写在该脚本中。脚本中包含,
将report_constraint -all写到文件rc.rpt,
将report_timing写到文件rt.rpt,
将report_area写到文件ra.rpt,
将综合后结果写入.ddc文件中。
3)运行该脚本,完成综合。综合后电路的电路图截屏保存下来。对report进行分析。
(4)使用Synopsys ICC进行版图设计。
1)参考~/work/xxx/scripts/icc.tcl提示,修改完善脚本。
4、实验报告要求(实验一完成1-6,实验二完成4-9)
(1)使用Verilog HDL完成设计。
(2)编写testbench。
(3)VCS完成仿真,对仿真结果进行分析。
(4)编写Synopsys DC综合脚本文件dc.tcl以及约束文件xxx.con。
(5)使用synopsys DC进行综合,给出综合后的报告,包括rc.rpt,rt.rpt,ra.rpt,并分析结果(题目二需要在xxx.v模块中加入io。)。
(6)综合后的电路图。
(7)分析ICC版图设计脚本,根据选择的设计对该脚本进行修改完善。
(8)floorplan,place,cts,route,finish各步骤版图截图。
(9)Route之后的timing和physical分析。
西工大FPGA技术实验报告.pdf
西工大FPGA技术实验报告 软件与微电子学院
仅供学习交流使用
内容:
24 小时制计时器
一.目的及要求
本实验旨在设计一个24小时制的计数器。可参考以下算法:
结合 60 进制和 24 进制计数器,对于秒和分使用 60 进制计数器,对于小时使用
24 进制计数器。实验以 clr ,set,hour_in[5:0] ,min_in[6:0] ,sec_in[6:0] ,
en ,clk 为输入信号。clr 异步清零信号,当其值为 1 时,计数器清零。set 为置位
信号,hour_in[5:0] ,min_in[6:0] ,sec_in[6:0] ,为预置信息输入信号,当 set 值 为 1 时,输出信号变为预置信号中的值。en 为输出使能端,当其值为 1 时,计数
器计数,否则暂停计数。clk 为时钟信号,当其上跳沿到来时,计数器计数。
hour[5:0] ,min[6:0] ,sec[6:0]为输出信号,分别存储计数器的时、分、秒信号。
西工大模电实验报告.docx
西北工业大学西工大模拟电子技术基础实验报告
2017-2018年秋学期
格式:word,8993字
目录:
3.1单级共射放大电路模拟部分…
(1)实物部分
3.2集成运算放大器的线性应用
3.3多级负反馈放大电路
3.4集成运算放大器的其他应用
(1)RC正弦波振荡实验
(2)占空比可调的方波实验
(3)低通滤波器研究实验
3.5温度控制电路的设计
西北工业大学工程材料.zip
西北工业大学西工大材料学院工程材料课程配套资料【仅供学习交流使用】
西工大高分子材料导论.zip
西北工业大学材料学院高分子材料导论课程资料【仅供学习交流使用】
西工大非金属增材制造.zip
西北工业大学西工大材料学院非金属增材制造课程资料【仅学习交流使用】
西北工业大学电路基础.zip
西北工业大学西工大电路基础课程配套资料【仅供学习交流使用】
西工大材料分析方法.zip
西北工业大学材料分析方法配套资料现代分析方法【仅供学习交流使用】
西工大半导体物理.zip
西北工业大学西工大半导体物理课程配套资料【仅学习交流使用】
CMOS模拟集成电路.zip
西北工业大学西工大CMOS模拟集成电路设计课程资料
西工大信号上机实验3--连续LTI系统的频域分析.docx
西工大信号上机实验3--连续LTI系统的频域分析.docx
西工大信号上机实验2--连续LTI系统的时域分析.docx
西工大信号上机实验2--连续LTI系统的时域分析.docx
西工大信号与系统上机实验2--连续LTI系统的时域分析.docx
西工大信号与系统上机实验2--连续LTI系统的时域分析.docx
数字图像处理课件.rar
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阵列信号处理--ppt版本.pdf
阵列信号处理--ppt版本.pdf