noraml的博客

官方TMS320F2812寄存器头文件，头文件的作用是 定义了 2812 内部寄存器的数据结构 。 头文件一般情况下不需要修改 ， 如果你需要定义一些在整个工程内都 具有作用域的全局变量的时候，可以在头文件中定义这些变量。

Fibre Optics Handbook

新手windows下硬盘安装Ubuntu 9.04 新手windows下硬盘安装Ubuntu 9.04 新手windows下硬盘安装Ubuntu 9.04 新手windows下硬盘安装Ubuntu 9.04 新手windows下硬盘安装Ubuntu 9.04新手windows下硬盘安装Ubuntu 9.04 新手windows下硬盘安装Ubuntu 9.04

Ubuntu中文参考手册 Ubuntu中文参考手册Ubuntu中文参考手册Ubuntu中文参考手册Ubuntu中文参考手册Ubuntu中文参考手册Ubuntu中文参考手册Ubuntu中文参考手册

电阻色环识别 电阻色环识别 电阻色环识别 电阻色环识别 电阻色环识别 电阻色环识别 电阻色环识别 电阻色环识别

uCOS-II 移植的方法和技巧 uCOS-II 移植的方法和技巧 uCOS-II 移植的方法和技巧

ucosII\利用SD卡扩展数据存储空间

ucosII\针对ARM Cortex-M3平台的代码移植

ucosII\ARM 白皮书—Cortex-M3 处理器简介

基于51单片机的步行机器人教材，主要针对那些对小车感兴趣的朋友，欢迎前来下载，如有问题，恳请批评指正！ QQ:664982790

ARM 9嵌入式系统设计与开发教程 目前嵌入式处理器常见的有ARM、PowerPC、MIPS、Motorola 68K、ColdFire(冷火)等，但ARM占据了绝对主流（资料说手机中几乎100%都是ARM处理器）。ARM是一个只卖知识产权的公司，目前获得购买了ARM CPU核授权许可的大公司很多，包括Intel、Samsung、Amstel、Motorola、Philip等，他们都在ARM CPU核的基础上进行了一些外围扩展，形成自己的处理器（如Samsung S3C2410，Motorola i.MXL9328等处理器都是采用ARM 9内核，指令一级是相同的）。而众多中小公司又购买了这些处理器，设计了各种各样的开发板，如华恒等国内很多著名嵌入式公司都生产基于Samsung S3C2410的开发板，供最终用户使用或供教学实验。在ARM这个食物链上，ARM公司是大鱼，Intel、Samsung等公司是小鱼，而华恒等则是虾米，最终用户（想我们要采购嵌入式开发板的实验室）则是喂虾米的。Intel早期生产的是低端ARM(Strong ARM，相当于ARM 7),现在转向主要生产高端ARM(即Intel Xscale处理器,相当于ARM 10，主要用在高端PDA上,如HP和DELL生产的PDA都采用Intel Xscale，价格较高)。目前应用最多的是ARM 7和ARM 9两类处理器。 ARM 7较便宜，可跑uclinux（是一个不支持高级内存管理功能的嵌入式Linux系统）、Vxworks、uc/os II等实时操作系统，但因处理器不带内存管理单元MMU（无内存分页和地址映射机制，所以不能使用虚拟内存），所以不能跑Windows CE，另外通用Linux中的某些内存管理功能也不能用在ARM 7上。ARM 9是一个带MMU功能的高端处理器，可跑WinCE或通用Linux的大多数功能。以上是我的一点了解，可能有不对的地方。我们学院正在建设的嵌入式实验室（10月底到货）包括30套ARM 7系统（拟采用Samsung S3C44b0x开发板，主要用于嵌入式处理器结构、嵌入式linux课程实验），10套ARM 9系统（拟采用Samsung S3C2410x开发板，主要用于Windows CE课程建设），每套实验板都配了高速仿真器，价格都很贵（比我们招标的DELL PC还贵），很容易损坏，同学应爱护使用。

TFT屏幕： TFT ( Thin Film Transistor 薄膜晶体管) ，是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种，TFT在液晶的背部设置特殊光管，可以“主动的”对屏幕上的各个独立的象素进行控制，这也就是所谓的主动矩阵TFT（active matrix TFT）的来历，这样可以大大的提高反应时间，一般TFT的反映时间比较快约80ms，而 STN 则为200ms如果要提高就会有闪烁现象发生。而且由于TFT是主动式矩阵LCD可让液晶的排列方式具有记忆性，不会在电流消失后马上恢复原状。TFT还改善了 STN 会闪烁（水波纹）-模糊的现象,有效的提高了播放动态画面的能力。和 STN

变频空调是相对普通空调来讲的,普通空调的压缩电机采用交流异步电机，转速不变，50HZ时转速约为2880r/min。而变频空调是先把220V、50HZ的单相交流电转变成为三相变频交流电（25~118HZ，56~160），供给压缩机，通过频率变化来调节压缩机转速，使制冷量连续变化，适应空调负荷的需要。 变频空调的工作原理： 变频空调的压缩机由变频电机拖动，电源变频器输出频率变化的交流电给电动机，使电动机的转速可以根据室内制冷量的需要而连续变化，最终压缩机的制冷量达到连续变化的自动控制。为了配合制冷量的连续变化，制冷系统中采用了电子膨胀阀，由脉冲电机开关阀芯，快速控制进入蒸发器的制冷剂流量。电源频率变化由变频器实现，如下图一：220V、50HZ的市电输入，经变频器的A/D交直流变换、D/A逆变，输出电动机所需要的频率的三相交流电，与电力室的开关电源原理相似。 变频空调制冷系统组成： 变频空调由压缩机、蒸发器、冷凝器、电磁四通阀、电子膨胀阀、除霜阀、双毛细管等部件组成（如下图二），工作时，空调器根据空调房间的需要，自动控制变频器输出频率较高的交流电，使电动机的转速加快，压缩机的制冷量加大，达到快速制冷或制热的目的，相反，当房间的制冷或制热量较小时，压缩机以正常速度或较低速度运转，因此，变频空调具有连续的制冷量调节，使得房间的温度波动较小。 在压缩机工作过程中，微电脑系统控制变频压缩机的同时，控制电子膨胀阀的开启度，保持适当的制冷剂流量，从而直接改变蒸发器中制冷剂的流量使其状态发生改变，压缩机的转速与膨胀阀的开启度相对应，压缩机的排气量与膨胀阀的供液量相对应，使过热度不至于太大，使蒸发器的能力得到最大限度的发挥，从而使制冷系统实现最高效率的控制。 变频空调的优缺点： 优点：变频空调空调采用了变频电源、变频压缩机、电子膨胀阀和微电脑技术的有机结合，使空调性能进一步提高，使用时房间温度波动小，舒适性更佳，对电源电压波动不敏感，压缩机启动后，一般不停机，制冷量在35％～117％的范围内变化，避免了普通空调的频繁开停，延长了压缩机的寿命，同时具有高效、节能的特点。 缺点：价格较贵，同普通空调相比，约高出1／3～1／4的价格，同时，由于变频空调的控制系统和变频系统较为复杂，对元器件要求较高，相比较普通空调，变频空调的故障率较高，而且，由于采用了变频技术，在变频的同时，会产生谐波污染。 什么是直流变频空调？ 直流变频空调是相对于交流变频空调而来的，其实，它的名称是不正确的，因为直流并没有变频，它是通过改变直流电压来调节压缩机转速，从而改变空调的制冷量，因此，它只能说是一种直流变转速空调，不是严格意义上的变频空调。 选择变频空调的七大理由 -------------------------------------------------------------------------------- 时间：2004.09.17 变频空调现成为空调市场中的宠儿，是何原因使变频深受消费者的信赖？ 一、节能：变频空调利用改变频率来调整压缩机功率，因此不会频繁启停，比同等规格的定速空调节能35%，省电更省钱。以海信2616变频为例，最低耗电量仅0.2度，而定速IP空调耗电量为0.95度。使用相同功率的变频空调2—3年即可收回与定速空调的差价。 二、高效：变频空调的工作原理决定了其开机时即以最大的工作频率运转，制冷制热十分强劲，海信IP变频机可以输出1.5P机器的制冷（热）量，三分钟达到设定温度后低频运转即开始省电。 三、舒适、静音：变频空调的工作原理是高频调温，低频恒温，到达设定温度后，变频空调就低频运转，一般为20Hz左右，温度波动小，如海信变频空调的温差仅为±0.5度，控温精度是普通空调的4—6倍，避免了忽冷忽热的感觉，同时，没有压缩机的频繁启动，噪音自然很低。 四、长寿：变频空调减少了开停机的次数，避免了频繁启停对压缩机带来的冲击，压缩机和空调系统工作稳定，寿命长，海信变频空调寿命长达15年。 五、健康：变频空调没有频繁启停，温度恒定，同时，利用高压放电原理，产生大量的电子将灰尘吸附于空调过滤网上，杀灭细菌，更与氧气结合形成对人体健康有利的负氧离子，从而杜绝了因为温差大、空气浑浊所造成的“空调病”。 六、价格：随着变频核心技术的掌握和产能的不断扩大，研发成本随之下降。经过几年的调整，如今变频空调的价格已经与定速空调相差无几，以海信1P变频挂机为例，价格仅为2300元左右，比IP一线普通空调价格相差几百元，而一年为用户节省的电费却高达260元以上（以每天使用6小时，每年使用3个月，电费0.5元/度计算）。 七、趋势：在日本，95%的家庭使用变频空调，在中国市场，变频空调的销售同比增

半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 3、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分：O-表示半导体器件 第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。 关于“材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)”给你解释一下 如：SI-NPN 0.1 20 45 >100 意为三极管为硅材料、NPN结、标称功率为0.1W、工作电流为20mA、耐压45V、工作频率大于100MHz。