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RSS订阅转载 MRAM与FRAM技术有何差异
MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏”的电荷），因此MRAM可以提供非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（WriteCycle）是在电磁隧道结（MTJ）上方和下方的导线中产生脉冲电流的结果（见图1）。图1：磁性隧道结（MTJ）电流脉冲带来的相关H场会改变自由层的极化铁磁材料。这种磁性开关不需要原子或电子的位移，.
2021-07-09 09:13:59
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原创 allgro之PCB editor 使用问答之一
Q:在allegro中怎么将直插(过孔类)的焊盘中的过孔显示出来...A:在allegro中需要设置才能显示，具体在setup->design parameters->display选项中的display plated holes 勾选上
2021-06-10 10:13:40
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转载 Altium Designer之如何显示标题栏内容
第一步：Design-->Document Option，打开文档属性对话框，设置title等参数，如下图。 第二步：Place-->Text String，按TAB键，将Text属性中设置为"=title",并将Text String放在标题栏的title的右侧。其他同设置，当输入"="后，会自动提示。 第三步：Tool-Schematic Preference，切换到Graph...
2018-05-26 08:24:05
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空空如也
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