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原创 电容充放电特性

电容充放电

2022-06-21 16:59:54 774 1

原创 电容基本介绍

电容

2022-06-21 16:59:08 819

原创 模拟和数字电子电路基础-2-电阻网络

基尔霍夫电流定律(KCL)电路中流出任何一个节点的电流等于流入该节点的电流。即流入任意节点的支路电流的代数和为零。流经两个/一系列串联原件的支路电流相等基尔霍夫电压定律(KVL)网络中任何闭合路径上支路电压的代数和为零两个/一系列并联连接元件上的电压相等能量守恒电路中由若干元件提供的能量等于其余元件消耗的能量分压器分压器是由两个或更多电阻和一个电压源串联构成的回路分流器分流器是由两个货更多电阻和一个电流源并联而成的具有两个节点...

2020-05-11 23:09:15 1170

原创 STM32CubeMX调试定时器PWM输出

芯片型号:STM32F303CB1.设置RCC,如下图设置高速外部时钟HSE,选择外部时钟源2.配置时钟树3,设置定时器1.选择TIM22.设置定时器市中院为内部时钟源3.设置定时器CH2为PWM模式4.可自行选择是否开启定时器中断在 Parameter Settings 页配置预分频系数为 71,计数周期(自动加载值)为 499,定时器溢出...

2020-04-09 17:17:05 1748

原创 STM32获取唯一身份标识unique ID

96位的产品唯一身份标识所提供的参考号码对任意一个STM32微控制器,在任何情况下都是唯一的。用户在何种情况下,都不能修改这个身份标识。在HAL库中有现成API接口可以调用。以下为STM32F411示例代码:/** * @brief Returns first word of the unique device identifier (UID based on 96 bits)...

2019-12-26 11:58:54 1634 1

原创 关于Keil 编译内存信息Program size: Code, RO-data , RW-data, ZI-data 的解释

关于Keil 编译内存信息Program size: Code, RO-data , RW-data, ZI-data的解释一,解释Code:程序代码所占字节大小。RO Data:只读常量(read only)。RW Data:可读写变量(read write)。ZI Data:未初始化的可读写变量(zero initialize)。二,Total ROM S...

2019-09-20 16:23:42 694

原创 调试神器SEGGER_RTT移植使用

一,组件下载SEGGER_RTT组件官方下载地址https://www.segger.com/products/debug-probes/j-link/technology/about-real-time-transfer/安装好后,在安装目录的RTT目录下可以找到该组件包组件包目录结构如下二,移植到工程目录将文件其添加到MDK工程目录中,并添加路径至此,移植工作就...

2019-08-07 10:01:04 6773

原创 RTX初始化

初始化函数有以下三个os_sys_init()os_sys_init_prio()os_sys_init_user()1,void os_sys_init( void (*task) (void) );void os_sys_init (void (*task)(void) ); /* Task to start */Description:The os_s...

2019-08-06 17:23:59 494

原创 嵌入式实时操作系统—RTX移植到STM32F3

使用环境:STM32F303标准外设库;keil4.74;首先需要准备一份STM32F3模板,可以在我上传的资源中下载。以下工程目录是我移植好后实现LED闪烁的代码;第一步:project-->Options for Target 'RTX' -->Target:在Operating system 一栏选择 RTX Kernel第二步:添加RTX_Conf_CM...

2019-08-05 15:22:08 1011

原创 关于STM32F3标准外设库中的一个语法错误

错误代码段如下FlagStatus HRTIM_GetFlagStatus(HRTIM_TypeDef * HRTIMx, uint32_t TimerIdx, uint32_t HRTIM_FLAG){ assert_param(IS_HRTIM_TIMERINDEX(TimerIdx)); FlagStatus bitstatus = RESET; swit...

2019-08-01 17:19:18 593

原创 放大电路静态工作点的稳定

1.温度对静态工作点的影响上图所示,实线为晶体管在20摄氏度时的输出特性曲线,虚线为晶体管在40摄氏度的输出特性曲线。从图可知,当温度升高时,晶体管的电流放大系数将增大。Q点沿直流负载线上移。反之亦然。 所谓稳定Q点,通常是指在环境温度变化时静态集电极电流ICQ和管压降UCEQ基本不变。常用引入直流负反馈或温度补偿的方法。2.典型的静态工作点稳定电路图(a):直接耦合电...

2019-07-24 13:50:36 5809

原创 放大电路的等效模型及其建立方法

分析静态工作点:ui = 0时,仅有直流电源的作用——直流等效模型。分析电压放大倍数、输入电阻、输出电阻:即在静态的基础上加低频小信号——交流等效模型。分析电路的高频特性:即考虑电容的影响,在静态的基础上加高频小信号——高频等效模型。直流等效模型: ...

2019-07-15 17:18:48 4326 2

原创 放大电路的分析方法——图解法

一,直流通路和交流通路 直流通路:电容视为开路; 电感线圈视为短路; 信号源视为短路,但应保留其内阻; 交流通路:大容量电容(如耦合电容)视为短路; 无内阻的直流电源视为短路; 基本共射放大电路:...

2019-07-04 15:27:15 12490

原创 基本共射放大电路的工作原理

1,基本共射放大电路的组成及各元件的作用 共射:输入回路与输出回路公共端是发射极,且是整个电路的参考点。 T:有源元件,能够控制能量的元件。I VBB 、Rb::VBB使发射结电压大于开启电压UBE>Uon ;Rb 使回路具有合适的直流电流IB。 VCC...

2019-06-28 16:50:27 29488 4

原创 放大的概念和放大电路的主要性能指标

一,放大的概念 放大的对象:变化量——常用正弦波做测试信号。 放大的本质:能量的控制和转换,利用有源元件实现。 放大的特征:功率放大(判断电路能否放大的基本出发点) 放大的基本要求:不失真——放大的前提。 ...

2019-06-28 11:54:43 9643

原创 晶体三极管的主要参数

一,晶体管共射接法时的主要参数 直流参数:①共射直流电流放大系数 ②IC B O 是发射极开路时集电结的反向饱和电流 ③IC E O ...

2019-06-27 09:00:35 5306

原创 晶体三极管的三个工作区域及温度对特性的影响

一,晶体三极管的三个工作区域共射电路输出特性曲线晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB,即可将输出回路等效为电流iB 控制的电流源iC。二,温度对晶体管特性的影响输入特性输出特性...

2019-06-26 21:40:24 9082

原创 晶体三极管的输入特性和输出特性

一,晶体管的共射输入特性 下图为输入特性曲线:当UCE = 0时,相当于集电极与发射极短路,即发射结与集电结并联。因此,输入特性曲线与PN结的伏安特性类似,呈指数关系。 当UCE增大时,曲线将右移。 对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以近似UCE大于1V的所有输入特性曲线。二,输出特性 下图为输...

2019-06-25 23:15:54 24796 2

原创 晶体三极管的放大原理

一,晶体管放大的外部条件 放大的条件:1,uBE > Uon (发射结正偏) 2,uCB ≥ 0,即uCE ≥uBE(集电结反偏) VBB:保证发射结正向偏置 ...

2019-06-25 16:09:25 5398

原创 晶体三极管的结构和符号

晶体管有三个极、三个区、两个PN结。如上图中,位于中间的P区称为基区,它很薄且杂志浓度很低; 位于上层的N区是发射区,参杂浓度很高; 位于下层的N区是集电区,因而集电结面积很大; 晶体管的外特性与三个区域的上述特点紧密相关。 它们所引出...

2019-06-25 14:52:18 3154

原创 二极管的交流等效模型和主要参数

一,微变等效电路——交流模型(动态模型)当二极管在静态基础上有一动态信号作用时,则可将二极管等效为一个电阻,称为动态电阻,也就是微变等效电路。Q点越高,等效电阻越小。二,二极管的主要参数最大整流电流IF:最大平均值。 最大反向工作电压UR:最大瞬时值。(瞬间超过电压都会造成损坏,所以是瞬时值) 反向电流IR:即IS 最高工作频率fM:因PN结有...

2019-06-25 14:24:25 10270

原创 二极管的直流等效模型

一,将伏安特性折线化——直流模型(静态模型)理想二极管若电压源V远大于二极管的导通电压,则可认为电阻上电压约等于电压源电压。 2,正向导通时端电压为常量 近似分析中最常用。3,正向导通时端电压与电流成线性关系...

2019-06-25 00:15:30 6591 1

原创 半导体二极管的伏安特性和电流方程

一,二极管的伏安特性伏安特性:二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。开启电压Uon:二极管开始导通的临界电压。击穿电压:U(BR)反向饱和电流:Is二,二极管的电流方程 q:电子的电量k:玻尔兹曼常数T:热力学温度常温:热力学温度300度三,二极管的单向导电性四,温度对伏安特性的影响...

2019-06-24 21:51:02 42919 2

原创 半导体二极管的结构

一,二极管的外形 将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。二,二极管的结构 ①点接触型:结面积小,结电容小,故允许的电流小,最高工作频率高。 ②面接触型:结面积大,结电容大,故允许的电流大,最高工作频率低。 ...

2019-06-20 11:40:12 2828

原创 PN结的形成及其单向导电性

一,PN结的形成: PN结不是简单的把P型半导体与N型半导体组合在一起;而是在同一基片上通过扩散工艺制作一个P区和一个N区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。 内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动,组织了扩散...

2019-06-20 11:21:30 11387

原创 杂质半导体

通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,便可得到杂质半导体。按掺入的杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体;控制掺入杂质元素的浓度,就可控制杂质半导体的导电性能。一,N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),取代晶格中硅原子的位置,形成N型半导体。 此时,自由电子成为多数载流子(多子),空穴成为少数载流子(少子)。 ...

2019-06-19 16:30:02 2421

原创 本征半导体

一,本征半导体: 本征半导体是纯净(无杂质)的晶体结构(结构稳定)的半导体。二,本征半导体的结构 共价键:相邻两个原子共用一对最外层电子,形成共价键。 三,本征半导体中的两种载流子 自由电子:由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子,其带负电。 ...

2019-06-19 15:36:21 8635

原创 常用芯片封装形式

一,DIP双列直插式封装二,SIP单列直插式封装三,QFP方形扁平式封装PQFP:塑料方形扁平式封装BQFP: 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装四,QFN四侧无引脚扁平封装五,PGA插针网格阵列封装六,BGA球栅阵列封装...

2019-06-17 15:46:59 6093

原创 锂电池基础知识

锂电池标识:根据IEC61960标准,锂离子电池标识由3个字母和若干数字组成。(1)第一个字母标示电池的负极材料,I:锂离子电池,L:锂金属电极或锂合金电极。(2)第二个字母标示电池正极材料,C:基于钴的电极,N:基于镍的电极,M:基于锰的电极,V:基于钒的电极。(3)第三个字母标示电池形状,R:圆柱形电池,P:方形电池。(4)数字。①圆柱形电池型号用5位数字表示,分别表示电池的直径和高度,前两位...

2019-06-02 09:33:17 3300

原创 纽扣电池基础知识

纽扣电池一般来说常见的有充电的和不充电的两种;充电的有LIR(3.6V)系列和ML(3.0V)、VL(3.0V)系列。一次性的有CR(3.0V)系列,LR(1.5V)及SR(1.55V)系列。例如CR2032,CR:3V;2032:20mm*3.2mm,直径20mm,厚度为3.2mm;ML2032既是与CR2032同尺寸的可充电纽扣电池,但容量上却小很多;...

2019-05-28 20:18:17 3797

原创 ARM裸机——003GCC常用方法

GCC使用方法: GCC [选项] 文件名GCC常用选项: -v: 查看gcc编译器的版本,显示gcc执行时的详细过程 -o <file> Place the output into <file> 指定输出文件名为file,这个名称不能跟源文件名...

2019-05-18 01:26:42 616

原创 ARM裸机——002C语言实现流水灯

三个LED引脚为GPF4/5/6,点电平亮,高电平灭;led.c:void delay(volatile int d){ while(d--);}int main(){ unsigned int *pGPFCON = (unsigned int *)0x56000050; unsigned int *pGPFDAT = (unsigned int *)0x5600005...

2019-04-24 02:43:07 1125

原创 ARM裸机——001汇编程序点亮LED1

本人使用的是韦东山老师的JZ2440开发板点亮LED1,原理图如下:1,看原理图可知LED1对应GPF4;2, 看上图可知LED1为低电平使能:GPF4 = 0,LED1 亮;GPF4 = 1,LED1 灭;3,查看数据手册: 设置GPFCON[9:8] = 0b01时,GPF4配置为输出;(把0x100写入GPFCON,即写到地址0x5600...

2019-04-23 15:12:53 604

转载 【MultiButton】并发状态事件驱动按键驱动模块

MultiButton简介MultiButton 是一个小巧简单易用的事件驱动型按键驱动模块,可无限量扩展按键,按键事件的回调异步处理方式可以简化你的程序结构,去除冗余的按键处理硬编码,让你的按键业务逻辑更清晰。使用方法1.先申请一个按键结构struct Button button1;2.初始化按键对象,绑定按键的GPIO电平读取接口read_button_pin() ,后一个参数设置有效触发电平b

2017-12-21 11:15:18 1791

原创 Markdown语法

我所使用的是MarkdownPad 2在Windows 10上 。一,标题

2017-11-24 10:27:52 190

原创 Fatfs f_unlink()API用法

f_unlink()很简便 不需要先执行打开文件操作 直接调用该接口就行。代码流程如下:1查看删除文件前文件大小2删除文件3查看删除文件后文件大小Result = f_open(fp,filename,FA_OPEN_ALWAYS | FA_WRITE|FA_READ);if(Result != 0){ LOG(LOG_ERROR,"ERROR: CreatF

2017-05-27 09:42:20 10019

原创 Fatfs f_size()API用法

f_size()作用是查看文件大小,但在官方文档中没有给出应用实例。简单测试之后发现f_size()的正确用法如下:1.f_open()2.f_size()3.f_close()若直接使用f_size()不会得到正确的大小。Result = f_open(fp,filename,FA_OPEN_ALWAYS | FA_WRITE|FA_READ);if(Result !=

2017-05-27 09:26:05 8836

原创 献上bmp280驱动代码(spi接口)

献上bmp280 spi驱动代码  有问题请联系我

2017-05-25 09:34:54 4138 1

原创 关于stm32stop模式下,串口唤醒中的问题及解决办法

首先讲一下应用场景:STM32F1 + HAL库+ Freertos ,STOP模式下利用串口引脚唤醒。stop mode 处理内容如下:1,配置所有引脚为模拟输入(参考官方代码)2,配置串口接收引脚为外部中断3,进入stop mode4,初始化串口等外设现象:第一次从stop模式唤醒时串口能正常通信,判断一段时间后无数据则再一次进入stop mode,然后再一次唤

2017-05-17 15:56:16 11183 24

原创 推荐一个 ARM Cortex-M 错误追踪库

相信搞嵌入式软件的同志们都遇到过 hard falut的问题。最近发现一款hardfault错误追踪库(arm  cortex - m),使用之后感觉很不错。以下是测试截图github地址:https://github.com/armink/CmBacktrace

2017-05-02 19:43:08 1164

armlink.pdf

Program Size: Code=xxx RO-data=xxx RW-data=xxx ZI-data=xxx

2019-09-20

00Template.zip

stm32F3标准外设库模板,F3标准库可在官网下载,也可以跟我要

2019-08-05

MEMS陀螺仪原理.pdf

mems 陀螺仪 即硅微机电陀螺仪,绝大多数的 MEMS 陀螺仪依赖于相互正交的振 动和转动引起的交变科里奥利力。 MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems)是指集 机械元素、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一 体的完整微型机电系统

2019-06-20

GPS解析库 nmealib

GPS nmea语句解析库

2017-06-13

bmp280驱动(iic接口)

bmp280 iic驱动

2017-05-25

bmp280驱动(spi接口)

清册有效

2017-05-25

bma250驱动代码

bma250驱动

2017-04-24

Configuration Wizard

Configuration Wizard

2017-03-22

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