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RSS订阅原创 《炬丰科技-半导体工艺》在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：在HF溶液中蚀刻期间GaAs上的砷形成编号：JFKJ-21-887作者：炬丰科技引言到目前为止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制，这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用显微技术、轮廓术和x光电子能谱研究了氢氟酸对GaAs晶片的腐蚀。发现在蚀刻之后，晶片表面立即被元素碑的棕色层覆盖。该层的厚度和均匀性取决于蚀刻过程中的光照和氟化氢浓度。在存储蚀刻晶片的过程中，碑层被三氧化二碑颗粒代替。结果表明，只有当晶片暴露在空气中的光线下时，才会
2022-01-15 13:17:18
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原创 华林科纳对MLCC发展方向预测
MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是片式多层陶瓷电容器的英文缩写，是一种电路中广泛应用的电容器，又被称为“独石电容器”。电容器是重要的电子元器件，属于被动元件中的电路类（电阻、电容、电感，合称 LCR）元器件，是复杂电路架构的重要组成部分。电容在电路中的主要作用是储存电荷、交流滤波、旁路、提供调谐及振荡和用于微分、积分电路等。华林科纳CSE总结了与其他种类的电容器相比，MLCC 具有多种优良特性：（1） 容量范围大：相对于单层电容，MLCC 的多层堆叠技术使得其具有
2022-01-15 13:14:39
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》兆声波辅助湿法化学处理去除凸块工艺光掩模
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：兆声波辅助湿法化学处理去除凸块工艺光掩模编号：JFKJ-21-785作者：炬丰科技摘要由TOK、JSR、陶氏化学等公司生产的新一代负色调和化学放大的正色调光阻剂在先进的包装应用中获得了发展势头。随着铜柱和微凸起的采用，树脂的厚度要求正在增加到40-100µm的范围。为了形成柱子，抵抗面罩必须更厚以包含整个凸结构。Akrion系统的工程师开发了一种新型的、单晶片的、厚的PR条工艺，目的是降低先进包装工艺流程中这一步骤的拥有成本（氧化亚钴）。使用有机溶剂加上独特的超
2022-01-15 11:58:16
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原创 在深度反应离子蚀刻工具中调整蚀刻方向性
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：在深度反应离子蚀刻工具中调整蚀刻方向性编号：JFKJ-21-734作者：炬丰科技摘要硅深反应离子蚀刻是一种由于无法控制到达晶圆表面的能量离子的方向而产生投射的二维形状的过程。由此得到的蚀刻轮廓呈现名义上为晶片表面90°的侧壁。然而，我们已经开发并演示了一种新技术，可以让我们控制沟槽相对于晶片表面的角度。该方案利用埋地电介质层的充电来实现离子转向，从而控制蚀刻的方向。相对于与晶圆表面正交的线，测量的角度变化控制在232°到132°之间。我们报告和描述了这种控制蚀刻
2022-01-15 11:53:24
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》种植体表面处理技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：种植体表面处理技术编号：JFKJ-21-332作者：炬丰科技摘要牙科植入物是目前牙科中可用于替换缺失牙齿的有前景的治疗选择。植入物的成功和失败取决于诸如局部因素、生物因素、临床医生影响的因素和植入物相关因素等标准。种植体设计和表面状况对骨整合有很大影响。关键词 种植体表面处理；种植体设计、喷砂、等离子喷涂。介绍在目前的情况下，种植牙是部分或完全缺牙患者康复的最先进的治疗选择之一。种植牙比传统的治疗方式更有优势，例如保护骨骼、保护邻牙、美观、耐用等。钛种植体
2022-01-13 15:27:39
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》 显影剂强度对模型 EUV光刻胶的图案化能力的影响
籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：提高MLCC电介质的可靠性编号：JFKJ-21-1322作者：华林科纳为了实现单片陶瓷电容器的足够的可靠性，了解晶界和晶粒内对其可靠性和绝缘电阻的贡献是很重要的，利用这些数据，通过模拟的方法确定了晶界E-J曲线。结果表明，晶界绝缘电阻的温度和电场依赖性很低，研究了每层一个钛酸钡晶粒的绝缘特性，颗粒内部的阻力和可靠性都很低，为了提高晶粒内部的抗降解性，开发了掺杂batio3的基电介质，研究了Ca取代对MTTF的影响，发现MTTF随着Ca取代的增加而增加。为了防止Ni的
2022-01-13 15:23:01
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》湿法刻蚀硅片表面性能的变化
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：湿法刻蚀硅片表面性能的变化编号：JFKJ-21-1341作者：华林科纳本研究研究了湿法蚀刻下硅晶片back-side面的表面特性，测量分析表面形状、表面电阻、测量范围下的表面粗糙度，分物理特性和电特性，对比分析相关关系，并最终确定，目的提高产品的电特性，采用P-type晶片蚀刻，蚀刻溶液以氢氟酸、硝酸为基础，以醋酸为添加剂。硅晶片的湿法蚀刻本研究使用的晶片采用公司生产的硅晶片，是利用法生长成单晶的等级的硅烷晶片，向晶方向生长制备而成，是添加了13族元素硼(B)
2022-01-13 15:13:42
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》通过深紫外光刻胶进行化学渗透
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：通过深紫外光刻胶进行化学渗透编号：JFKJ-21-1324作者：华林科纳由于光光刻和湿蚀刻的结合，门氧化物区域现在仍然被定义。实际上，后者优于等离子体蚀刻，以避免任何晶体管沟道粗糙度和可靠性退化。在这种软掩模图案形成过程中，抗蚀剂下的栅氧化物可以通过两种不同的机制降解：一种是PR（光抗蚀剂）/栅氧化物界面的横向湿蚀刻渗透，要么是化学物质向同一界面的垂直扩散，扩散动力学和表征已经被提出了。本文讨论了高频基化学物质通过抗蚀剂渗透的门氧化物降解的更深入了解。当湿的蚀
2022-01-13 15:03:52
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》硅的湿化学蚀刻机理
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅的湿化学蚀刻机理编号：JFKJ-21-840作者：炬丰科技摘要本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明，晶面是该晶格中唯一光滑的面，其他面可能只是因为表面重建而是光滑的。通过这种方式，我们解释了在方向上KOH：H20中的最小值。实验对HF：HN03溶液中接近的最小蚀刻率的形状和从各向同异性向各向异性蚀刻的过渡进行了两个关
2022-01-12 12:01:13
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》硅片超精密清洗干燥技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅片超精密清洗干燥技术编号：JFHL-21-1038作者：炬丰科技引言随着LSI集成度的显著增加，各元件的断面构造从平面型向以沟槽（沟）构造的出现为代表的三维构造变迁。在以极限微细化为指向的LSI技术中，为了能够对应凹凸严重的复杂微细的构造表面，并且确保元件的可靠性和成品率，开发比以往更加显著地降低残留污染量的清洗、干燥技术变得越来越重要。即使在各种干燥化发展的今天，半导体器件表面的清洗，无尘化技术也被广泛采用使用超纯水及高纯度药品水溶液的所谓湿式清洗工艺，其重
2022-01-12 11:58:57
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》解决Marangoni干燥过程中晶圆污染问题的方法
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：解决Marangoni干燥过程中晶圆污染问题的方法编号：JFKJ-21-794作者：炬丰科技摘要马兰戈尼干燥过程中硅晶圆的接触标记污染与晶片与工艺支架之间接触区域的水滞留有关。用一个概念模型解决了晶片/支架接触处留水的形成。提出了一种毛细管排水技术方法来解决接触点问题，并进行了实验验证。介绍在半导体制造中，硅晶片(或其他半导体材料)通常用一系列湿化学清洗步骤进行处理，为后续的集成电路制造工艺准备晶片表面。晶片干燥是最后也是最关键的一步，通过使产品具有干净干燥
2022-01-12 11:56:17
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》基板预栅极清洗的系统和方法
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：基板预栅极清洗的系统和方法编号：JFKJ-21-999作者：炬丰科技在半导体制造中，半导体的湿法清洗使用氢氟酸(HF)、标准清洗1(SCI)和标准清洗2(SC2)的顺序化学配方进行栅极前清洗。该清洗程序旨在通过HF去除大块二氧化硅(SiO)，然后用SCI(去离子水(DI)、氢氧化氨(NH，OH)和过氧化氢(HCO)的混合物)清洗颗粒，然后用SC2(去离子水、盐酸(HCI)和HCO的混合物)清洗金属。该顺序清洁过程之后通常是最后的异丙醇(异丙醇)干燥步骤。在每个步骤
2022-01-12 11:47:44
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》硅片湿法清洗技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅片湿法清洗技术编号：JFHL-21-1063作者：炬丰科技引言以DRAM及CPU为代表的超大规模集成电路硅半导体器件，近年来成为个人电脑热潮的导火索，预计今后器件的需求也会扩大。 那么，该硅半导体器件的基板材料几乎都是通过直拉法(CZ)法培育的单晶硅。 通过对单晶硅锭进行切割、研磨、蚀刻、镜面抛光以及湿法清洗工序，制作出厚度为700-800μm的镜面晶圆。 随着半导体器件的微细化及高性能化，晶圆表面的高品质化被进一步要求。晶圆表面质量有粒子、金属杂质、有机物、
2022-01-12 11:35:16
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》基于 KOH 的 AIN和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：基于 KOH 的 AIN和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻编号：JFKJ-21-879作者：炬丰科技引言我们开发了一种可控、平滑的氢氧化钾基湿法刻蚀技术，AlN和AlxGa1xN之间的高选择性被发现对于基于AlGaN的深紫外发光二极管实现有效的衬底减薄或去除至关重要，从而提高光提取效率。AlGaN的高选择性作为铝组成的函数的机理可以解释为与在N-极性表面顶部的氧化物/氢氧化物的形成和溶解有关。横截面透射电子显微镜分析最终证明这些小丘与下面的螺纹位错无关。迄今为止
2022-01-11 11:39:12
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》 碱性溶液中结晶硅的各向异性蚀刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：碱性溶液中结晶硅的各向异性蚀刻编号：JFKJ-21-702作者：炬丰科技摘要本文研究了单晶硅的各向异性蚀刻行为以及二氧化硅和氮化硅在乙二胺基溶液以及氢氧化钾、氢氧化钠和氢氧化锂水溶液中的行为。包围蚀刻前沿的晶体平面及其蚀刻速率是由温度、晶体取向和蚀刻剂组成的函数来确定的。蚀刻速率与其活化能之间存在相关性，缓慢蚀刻的晶体表面表现出较高的活化能，反之亦然。对于高浓度的氢氧化钾溶液，观察到蚀刻速率随着水浓度的第四次幂而降低。在此基础上，提出了一个电化学模型，描述了硅在
2022-01-11 11:33:16
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》化学品供应流量对湿式清洁槽中颗粒去除能力的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：化学品供应流量对湿式清洁槽中颗粒去除能力的影响编号：JFKJ-21-599作者：炬丰科技摘要在总化学物质供给量不变的情况下，具有间歇化学物质供给和频繁流量变化的湿式清洁浴对于改善清洁性能是相当有效的。使用间歇化学品供应表明节省了化学品消耗，这是环境友好的，并且具有高通量过程。当晶片以宽间距和窄间距同时放置在相同的湿清洁浴中时，与具有相等间距的晶片排列相比，在窄间距处颗粒去除效率显著降低。为了防止湿法清洗过程降低清洗性能，必须仔细考虑晶片在湿法清洗槽中的放置。有趣
2022-01-11 11:22:46
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》植入物表面的钛纳米级蚀刻
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：植入物表面的钛纳米级蚀刻编号：JFKJ-21-362作者：炬丰科技摘要公开了一种形成要植入活骨的植入物的方法。该方法包括使植入物表面的至少一部分粗糙化以产生微米级粗糙化表面的行为。该方法进一步包括将微米级粗糙化表面浸入含有过氧化氢和碱性溶液的溶液中以产生纳米级粗糙化表面的动作，该纳米级粗糙化表面由叠加在微米级粗糙化表面上的纳米点蚀组成。纳米级粗糙表面具有促进骨整合的特性。发明领域本发明总体上涉及种植体，尤其涉及具有纳米级表面形貌的牙种植体及其制造方法。发
2022-01-10 13:13:47
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》使用臭氧和HF清洗去除金属杂质的研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：使用臭氧和HF清洗去除金属杂质的研究编号：JFKJ-21-1356作者：华林科纳本研究在实际单位工艺中容易误染，用传统的湿式清洁方法去除的Cu和Fe等金属杂质，为了提高效率，只进行了HF湿式清洗，考察了对表面粗糙度的影响，为了知道上面提出的清洗的效果，测量了金属杂质的去除量，测量了漆器和表面形状，并根据清洁情况测量了科隆表面特性。本实验使用半导体用高纯度化学溶液和DI 晶片，电阻率为22~38 ohm~ cm，使用了具有正向的4 inches硅基底，除裸晶圆外，
2022-01-10 13:07:56
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻方法
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻方法编号：JFKJ-21-1362作者：华林科纳本文涉及一种基板用韦特蚀刻组合物，其含有0.150质量%的含氟化合物(A)，0.0410质量%的氧化剂(B)，以及含有水(D)，pH值在2.0~5.0的范围内的SiN层和Si层。 另外，利用该韦特蚀刻组合物的、具有SiN层及Si层的半导体基板的韦特蚀刻方法，使用时产生的挥发性成分对装置或排气线的腐蚀和空气污染，进而在减轻组合物中氮粉引起的环境负荷的同时，对于具有SiN层及Si层的基板
2022-01-10 13:05:26
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》高效异结太阳能电池硅晶片湿法刻蚀技术的研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：高效异结太阳能电池硅晶片湿法刻蚀技术的研究编号：JFKJ-21-1344作者：华林科纳本研究论文通过防止湿法蚀刻造成过多的晶体硅损耗，以降低原材料，实现在用薄基板材料的生产效率和低值化、高效。为查明进入率的表面组织对异种结太阳能电池特性的依赖性，进行表面组织并随之产生的硅基板表面缺陷，分析了非晶硅薄膜的被动特性变化，最后试图确定这种特性变化对异种结太阳能电池运动特性的影响。用不同方法洗脱的晶片和未进行洗脱处理的问题晶片、绘制正常晶片，用Fourier变换基础辐射
2022-01-10 12:02:20
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》半导体晶片湿蚀工艺的浮式数值分析
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：半导体晶片湿蚀工艺的浮式数值分析编号：JFKJ-21-1340作者：华林科纳本研究透过数值解析，将实验上寻找硅晶片最佳流动的方法，了解目前蚀刻阶段流动的形式，并寻求最佳晶片蚀刻条件,蚀刻工艺效率低利用气泡提高湿法蚀刻工艺效果,用实验的方法寻找最佳流动，通过数值分析模拟了利用这些气泡的湿法蚀刻工艺，并得出最佳湿法蚀刻。如图2所示，bath内一次性加入晶片少则25片，多则50片,因为有这么多的晶片，所以晶片和晶片之间的间隙很小（6.35 mm），所以晶片和晶片之间的
2022-01-10 11:59:11
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物编号：JFKJ-21-873作者：炬丰科技引言硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1，w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比为2比4，w (97%-H2SO4)<0.3.对于较高浓度的硫酸，H2SO4可视为稀释剂。为了研究硫酸在恒定
2022-01-08 13:10:47
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》用于高级晶圆清洗的单一化学清洗解决方案
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于高级晶圆清洗的单一化学清洗解决方案编号：JFKJ-21-532作者：炬丰科技关键词:单一化学清洗，APM, SCI,金属去除，络合剂。摘要基于APM (NH4OH/H2O2/H2O)的清洁混合物为用作单一化学清洁溶液提供了有趣的前 景。由于H2O2的氧化性质，这种混合物可以去除有机污染物，并且它们具有非常好的颗粒去除性能。为了针对金属污染优化APM清洁，需要添加络合剂(=APM+TM)O。本文研究了APM清洗液的金属去除效率随稀释比、温度和络合剂浓度的变化
2022-01-08 13:08:44
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》用于蚀刻的新技术减薄硅晶片
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于蚀刻的新技术减薄硅晶片编号：JFKJ-21-685作者：炬丰科技摘要本文描述了一种化学减薄硅片的新技术。从蚀刻容器底部上升的气泡以随机的方式撞击到浮动安装的晶片上。当用兩述设备和蚀刻使晶片变薄时，获得了具有光滑、无瑕疵表面和0.1密耳厚度均匀性的晶片。还提供了一种观察穿过晶片的光透射而不将其从蚀刻中去除的方法。这使得当晶 片被减薄到小于1密耳时，能够简单且准确地确定终点。介绍TO制造某些半导体阵列时，必须将硅片从正常 的硅片厚度（5至10密耳）均匀减薄至
2022-01-08 13:06:13
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》植入后刻蚀率的调整：硅、多晶硅和氧化物
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：植入后刻蚀率的调整：硅、多晶硅和氧化物编号：JFKJ-21-609摘要离子注入是半导体掺杂的常用方法，但也可以在局部改变硅和二氧化硅的蚀刻速率。事实上，当在蒸汽高频中蚀刻时，离子注入引起的损伤可以使二氧化硅的蚀刻率增加200倍。n型或p型的掺杂种类显著增加了HNA中硅的蚀刻速率。取代硼植入硅可以将硅的蚀刻率降低200倍。离子注入对蚀刻速率的修改对于制备埋藏掩模、牺牲层和蚀刻停止层具有重要意义。介绍离子植入在半导体处理中的主要应用是半导体的掺杂，但也可以用于修改
2022-01-08 11:47:09
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》用湿化学工艺制备的超薄氧化硅结构
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用湿化学工艺制备的超薄氧化硅结构编号：JFKJ-21-920作者：炬丰科技引言近十年来，湿化学法制备超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅结构的技术和研究取得了迅速发展。这种结构最重要是与大尺寸硅晶片上氧化物层的均匀生长有关。在硝酸溶液中湿法制备的氧化物（通常标记为氢氧化钠）的性质在于通过傅里叶变换红外光谱测定的高氧化物密度，因此，产生了制备具有优异绝缘性能的超薄氧化物层的可能性。实验我们使用了电阻率为10厘米的适度n型和p型硅(100)晶片。所有硅衬底的表
2022-01-08 11:44:19
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》 SC-1重复清洗CZ硅片微生长缺陷的研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：SC-1重复清洗CZ硅片微生长缺陷的研究编号：JFKJ-21-1310作者：华林科纳本文将对具有相同特性的晶片进行反复洗脱，用AFM测量了增加的LLS的结果，确定是晶片表面突出的横梁状缺陷，而不是pit或void。 因此，除了之前发现的oxide defect发生机制外，如果在硅晶片表面或bulk内表面附近存在其他相（phase）的物质（如氧析出物），则会影响oxide quality。被理解为可能发生。如图4.4所示，对于Sample A，COP在晶片正面
2022-01-07 11:34:18
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》电磁能源辅助湿化学蚀刻开发用于微机电系统的石英晶体
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：电磁能源辅助湿化学蚀刻开发用于微机电系统的石英晶体编号：JFKJ-21-1309作者：华林科纳摘要本文介绍创建的激光蚀刻过程的一些倒置台面谐振器。频率范围从3.5MHz到11,2MHz，代表了在各种设备中使用的典型谐振器频率，通过改变石英谐振器支架，可以进行进一步的改进。对谐振器支架系统的改进将消除在运行过程中发生的大量损失，使用一个商业设计的支架系统可以消除巨大的损失，讨论由激光蚀刻系统产生的倒置台面谐振器的下一个频率范围约为8MHz。图A7显示了一个8MH
2022-01-07 11:29:26
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》稀盐酸基清洗液去除金属和颗粒污染物的研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：稀盐酸基清洗液去除金属和颗粒污染物的研究编号：JFKJ-21-1314作者：华林科纳RCA清洗化学已广泛应用于半导体行业，尤其是用于去除晶片表面的各种污染。根据在RCA清洗中应用的最后一种化学物质，SC2最后过程中的粒子或SC1最后过程中的金属离子都可以留在晶片表面。在实践中，由于金属离子要求低于108原子/cm2，SC2最后清洗工艺更受青睐。然而，SC2最后一次清洗中的残留颗粒成为当前晶片清洗中的一个严重问题。SC2溶液的酸性可以使粒子更容易在晶片表面，因为相反
2022-01-07 11:26:48
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》 刻蚀时间对玻璃基板粗糙度的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章： 刻蚀时间对玻璃基板粗糙度的影响编号：JFKJ-21-1328作者：华林科纳在本研究中，我们研究了特定浓度的(HF)氢氟酸作为蚀刻剂对铜绿底物表面形态和铜绿假单胞菌生物膜生长的影响。和金黄色葡萄球菌。我们发现，蚀刻表面的细菌数量有周期性的增加和减少。这一方面表明了生物膜的生长与细小膜的生长密切相关。在我们的研究中，我们使用用于显微镜观察的钠石灰玻片作为生物膜附着的基质,虽然玻璃的实际成分有很大的变化，但二氧化硅（二氧化硅）被发现是交联形成四面体结构的主要成分,这
2022-01-07 11:23:42
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》湿法刻蚀硅片表面性能的变化
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：湿法刻蚀硅片表面性能的变化编号：JFKJ-21-1341作者：华林科纳摘要本研究研究了湿法蚀刻下硅晶片面的表面特性，测量分析表面形状、表面电阻、测量范围下的表面粗糙度，分物理特性和电特性，对比分析相关关系，并最终确定，目的提高产品的电特性，采用晶片蚀刻，蚀刻溶液以氢氟酸、硝酸为基础，以醋酸为添加剂。实验硅晶片的湿法蚀刻本研究使用的晶片采用公司生产的硅晶片，是利用单晶的prime等级的硅烷晶片，向晶方向生长制备而成，是添加了13族元素硼(B)的p-type，
2022-01-07 11:15:16
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》通过湿法蚀刻分离III-V多结太阳能电池
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：通过湿法蚀刻分离III-V多结太阳能电池编号：JFKJ-21-844作者：炬丰科技摘要III-V多结太阳能电池的微制造周期包括几个技术步骤，最后以一个晶圆切割步骤来分离单个电池。这一步引入了作为电荷捕获中心的连接的侧面的损伤，可能导致性能和可靠性问题，随着当今细胞大小缩小的趋势，这些问题变得更加重要。在本文中，我们提出了一种湿式微沟蚀刻工艺，允许单个太阳能电池的电隔离而不损害侧壁。用溴-甲醇蚀刻，通常用于III-V化合物的非选择性蚀刻的溶液，会在半导体表面形成不
2022-01-06 13:42:56
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》湿法蚀刻中不同蚀刻方法和各种蚀刻剂影响的综述
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：湿法蚀刻中不同蚀刻方法和各种蚀刻剂影响的综述编号：JFKJ-21-1014作者：炬丰科技引言微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程，每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模材料，其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻。该掩模材料可以是光致抗蚀剂，并且使用光刻法将其图案化。蚀刻也可以称为制作空腔，这些空腔应该根据用途具有特定的深度。产生的这种空腔的深度可以
2022-01-06 13:30:24
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》用于半导体的RCA清洁技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于半导体的RCA清洁技术编号：JFKJ-21-1073引言RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术，由于其高可靠性，30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先，用过氧化氢氧化硅晶片的表面，用作为碱的氨蚀刻氧化硅，并通过剥离去除各种颗粒。此外，如图1所示，在pH 10.5附近的S
2022-01-06 13:24:28
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》用于选择性蚀刻的加热SC1溶液
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于选择性蚀刻的加热SC1溶液编号：JFKJ-21-615作者：炬丰科技摘要本文报道了对SC1(nh4OH：H202：H20)溶液的研究，可用于抗颗粒去除和选择性湿蚀刻某些薄膜。用于以下测试的SC1溶液的比例为1：2：10。研究了四氯硅氧化物、硼磷酸硅酸盐玻璃、氮化物、掺杂多晶硅和热氧化物等薄膜的刻蚀速率。薄膜成分、所使用化学品的年龄、温度和化学成分是影响这些薄膜蚀刻率的因素。文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁介绍抗蚀剂和颗粒去除的湿法工艺和化学方法在超大
2022-01-06 13:20:54
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》用于集成电路制造的硅片清洗
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于集成电路制造的硅片清洗编号：JFKJ-21-628作者：炬丰科技摘要对在SPEL中使用不同的浸没方法清洗的硅晶片进行了比较研究。所生产的盈余已经通过各种方法进行了评估。使用这些清洗后获得的结果被报告，并显示与文献中描述的结果一致。最佳清洁是RCA描述的。介绍 在集成电路制造之前和制造过程中清洗硅片对于器件的性能至关重要。任何清洁过程的目的都是去除污染物并产生一个没有微粒的表面。然而，裸露的硅具有很强的反应性，因此在大多数情况下，清洁后的表面会迅速氧化，并
2022-01-06 13:15:12
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》湿蚀刻中蚀刻剂扩散到深紫外光刻胶中的研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：湿蚀刻中蚀刻剂扩散到深紫外光刻胶中的研究编号：JFKJ-21-857作者：炬丰科技引言在许多集成电路制造步骤中，化学蚀刻仍然优于等离子体蚀刻。事实上，它能够实现更好的表面光滑度控制，这是获得足够的载流子迁移率至关重要的。在这些步骤中，光刻抗蚀剂图案保护底层材料免受蚀刻。因此，必须：1）保证光刻胶粘附，防止图案被蚀刻；2）防止蚀刻剂渗透到光致抗蚀剂/材料界面。为了避免后一种现象，了解蚀刻剂是否穿透光刻胶以及其扩散速率是至关重要的。蚀刻垂直渗透的界面修饰已经在之前
2022-01-05 11:18:50
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》湿蚀刻对HgCdTe表面性能的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：湿蚀刻对HgCdTe表面性能的影响编号：JFKJ-21-917作者：炬丰科技摘要用原子力显微镜和x射线光电子显微镜研究了分子束外延和液相外延生长的碲镉汞在溴、甲醇和溴、过氧化氢H2O等不同溶液中刻蚀后的表面。用光电子衰减谱测量了少数载流子寿命和表面复合速度。在暴露于空气中2小时至2天后重复相同的测量。虽然这些表面相当复杂，但主要特征是基于溴的蚀刻剂在表面产生元素碲，在空气中快速氧化。没有元素碲，即使长时间暴露在空气中，氧化碲也较少。元素碲的存在与较高的表面复合速
2022-01-05 11:15:21
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》碳化硅晶片预清洗的影响
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：碳化硅晶片预清洗的影响编号：JFKJ-21-796作者：炬丰科技摘要实验研究了预清洗对KOH/IPA溶液中单晶硅表面纹理化的影响。如果没有适当的预清洗，表面污染会形成比未污染区域尺寸小的金字塔，导致晶片表面纹理特征不均匀，晶片表面反射率不均匀。根据供应商的不同，晶片的表面质量和污染水平可能会有所不同，预清洗条件可能需要定制，以达到一致和期望的纹理化结果。介绍晶体硅的织构化是太阳能电池制造中必不可少的工艺之一。具有良好纹理的表 面可以提高太阳能电池的光吸收效率
2022-01-05 11:11:44
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原创 《炬丰科技-半导体工艺》碳化硅等离子刻蚀方法
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：碳化硅等离子刻蚀方法编号：JFKJ-21-555作者：炬丰科技摘要本发明提供了一种等离子体蚀刻硅的方法.具有对重叠或底层材料电介质层的选择性的碳化物。该蚀刻气体包括碳气体,貪氧气体知02和任选的载体气体，如氤电介质材料可以包括二氧化硅、氮化硅、氧化硅或各种低k电介质材料，包括有机低k材乳为了实现对这 种介电材料的期望选择性，选择等离子体蚀刻气体化字物质来实现碳化硅的期望蚀刻速率，同时以较慢的速率蚀刻介电材札过程可用于选择性蚀刻氢化碳化硅蚀刻停止层或碳化硅基板。
2022-01-05 11:04:52
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腐蚀已被定义为金属或合金的“不良劣化”
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