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RSS订阅原创 SIC知识（8）--碳化硅的制备难点
6. 器件制造难点：碳化硅器件制造过程中的掺杂步骤需要在高温下完成，且需要采用高温离子注入的方式，这与传统硅基器件的扩散工艺不同。这些步骤需要精密的设备和严格的工艺控制，以确保器件的结构和功能。综上所述，碳化硅的制备难点相较于传统硅基器件主要在于更高的制备温度、更慢的生长速度、晶型控制的复杂性、后加工的难度、外延工艺的低效率以及器件制造的特殊要求和较高的成本。- **数据管理**：需要有效的数据管理系统来跟踪和记录生产过程中的每一个步骤，包括原料的批次、生长条件、加工参数等，以确保产品质量的可追溯性。
2024-04-27 11:14:01
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原创 半导体企业信息化系统规划思路
**措施**：制定详细的资金预算计划，包括软硬件采购、人员培训、系统维护等。- **措施**：进行全面的需求调研，包括问卷调查、一对一访谈和小组讨论。- **措施**：在系统实施过程中，让用户参与，收集反馈，进行定制化培训。- **落地**：制定培训计划，提升团队技能，或招聘具备所需技能的人才。- **落地**：建立风险管理框架，包括风险识别、评估、应对和监控。- **落地**：制定用户培训计划，包括操作培训、故障排除培训等。- **落地**：制定测试计划，记录测试结果，确保系统满足预期。
2024-04-27 10:49:23
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原创 Micro-OLED（硅基OLED）的工艺简介
请注意，上述工艺流程是一个高度简化的概述，实际的硅基IC设计与制造过程要复杂得多，涉及到精密的工程技术和严格的质量控制。Micro-OLED和Micro-LED是两种不同的微显示技术，它们在制造工艺上有一些共同点，但也存在显著差异。- 将微米级的LED晶粒转移到驱动基板上，这是Micro-LED制造中的关键步骤，需要高精度和高良率。- 在硅基IC上进行OLED的制造流程，包括阳极材料的沉积、有机发光层的蒸镀、阴极的沉积等。- 硅片是制造硅基IC的基础，需要经过严格的清洗和抛光，以确保表面无缺陷。
2024-04-24 19:47:55
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原创 Bin-什么是wafer sorting及相关方案
01、业务介绍：在半导体行业中，"wafer分bin"（或称为wafer sorting）是指根据晶圆上的芯片在测试过程中的性能参数，将它们分类到不同的性能等级或"bin"中。这个过程对于确保最终产品的性能和质量至关重要。以下是wafer分bin业务的介绍和相关方案：01、业务介绍：1. **性能测试**：- 在晶圆制造完成后，每个芯片会经过一系列的性能测试，包括电学特性测试、功能测试等。2. **参数测量**：- 测试过程中会测量关键参数，如电压、电流、频率、温度特性等。
2024-04-24 12:07:48
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原创 晶圆制造之MPW（多项目晶圆）简介
这种方法允许多个设计共享一个晶圆的制造成本，从而降低了单个设计的成本。然而，对于大批量生产，或者芯片面积较大的设计，直接使用 Full Mask（全掩膜）方式可能更为经济，因为 MPW 是按照晶圆上的占用面积收费的。因为芯片投资太贵了，而基于新工艺或者变化较大的新设计，如果设计有问题，投片的最差结果可能是无法点亮，或者关键的功能，性能不及预期，小则几百万，多则上千万打水漂；需要注意的是，因为MPW从生产角度是一次完整的生产流程，因此其还是一样耗时间，一次MPW一般需要6~9个月，会带来芯片的交付时间后延；
2024-04-21 22:06:22
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原创 半导体制造工艺之分类浅述
与先进逻辑工艺相比，特色工艺在材料、工艺、器件结构与功能等方面存在不同，其不追求按照摩尔定律的规律缩小工艺节点，而是需要满足现实世界不同的物理需求，比如信号的感应、放大、转换、分隔、输出等，其产品线丰富程度较高，结构有其特定的复杂性，也需要在基础工艺之上投入大量的研发资源和时间成本，面对的典型应用也十分丰富，如采用BCD 工艺的模拟芯片将自然模拟生物特征、光、热、速度、压力、温度和声音准确地转换为数字信号。先进逻辑工艺是相对的概念，2005年全球先进逻辑工艺的工艺节点在65/55纳米，现在则变为3纳米。
2024-04-21 21:51:02
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原创 01-半导体制程提升、晶圆尺寸增加对CIM系统的影响
1. **工艺窗口的调整**：随着晶圆尺寸的增大，工艺制程中的各种参数，如蚀刻时间、离子注入剂量等，可能需要重新优化以适应更大的晶圆尺寸。3. **集成度提高**：更小的制程允许在同样面积的晶圆上集成更多的晶体管，这意味着可以在单个芯片上集成更复杂的系统，实现更高的功能密度。1. **性能提升**：随着制程的缩小，晶体管尺寸减小，电子在芯片上的移动距离缩短，从而显著提高了芯片的运算速度和性能。4. **热处理过程的优化**：热处理过程，如氧化、退火等，需要优化以确保大尺寸晶圆上不同区域的热处理效果一致。
2024-04-20 15:15:25
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原创 01、CIM-工艺建模程中的override
半导体制程中的override通常指的是在半导体制造过程中，当遇到特定情况或需求时，对原有工艺流程进行调整或修改，以达到预期的制造效果或解决特定的技术问题。在半导体制造过程中，"override"通常指的是在某些特定条件下，对自动化系统或设备的默认设置进行临时性的修改或覆盖。半导体制程中的override是指在半导体制造过程中，针对特定的技术挑战或生产需求，对原有的工艺流程进行必要的调整或修改，以优化制造效果或提高生产效率。通常，任何"override"操作都应该被记录和审核，以确保它们是必要和安全的。
2024-04-20 15:01:49
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原创 半导体成品测试详述（Final Test，简称FT）
FT测试(成品测试)主要使用仪器为测试机(teste0) 和分选机(Handed):分选机主要作用是机械手臂，自动夹取待测芯片，放在可临测区域，等到测试机完成测试后，根据测试结果，将芯片放置到对应区域，如好品区、坏品区等。FT测试的原理是通过将芯片安装在实际或模拟的应用环境中，并通过测试设备（如测试机Tester和分选机Handler）施加输入信号并检测输出信号，以判断芯片功能和性能是否达到设计要求。在测试过程中，测试机通过与芯片的引脚连接，发送特定的测试模式或信号，并监测芯片的响应。
2024-04-16 12:05:37
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原创 关于半导体检测知识的梳理分享
贯穿于半导体全产业链，包括失效分析（FA）、材料分析（MA）、可靠性分析（RA）等，主要是运用物性分析、电性分析、表面分析、化学分析等多类型检测技术，针对失效样品进行缺陷定位与故障分析，帮助客户实现问题判定，加速产品研发与工艺升级，提高产品良率和生产效率。主要应用于晶圆加工制造环节，检测对象是制造过程中的晶圆，通过对制造过程中每一晶圆的测量薄膜厚度、关键尺寸、检查晶圆图案缺陷等方面的质量进行量测或检查，确保工艺符合预设的指标，防止出现偏差和缺陷的不合格晶圆进入下一道工艺流程。
2024-04-16 10:17:01
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原创 （1）半导体设备之sorter机【下】：HOW TO 业务的开发
00、背景：晶圆Sorter如何与生产线其他设备协同工作sorter 的全面科普文章见 文章00、背景：晶圆Sorter如何与生产线其他设备协同工作晶圆Sorter的自动化传输系统是半导体制造过程中的关键组成部分，它与生产线上的其他设备协同工作，确保晶圆在整个制造过程中的精确、高效和安全处理。以下是晶圆Sorter自动化传输系统与生产线其他设备协同工作的方式：>>>> 1. 集成与通信。
2024-04-13 16:21:56
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原创 SIC知识--（7）：硅舟及碳化硅舟
01、硅舟是什么硅舟是为扩散工艺设计的，由于硅舟和硅片均使用高纯硅材料，具有相同的物理性质，因此可以避免因为热膨胀系数和热导系数不同，造成的晶格错位，提升硅片良率。可替代现有的石英和碳化硅产品，代表的是高纯度高性能的技术。它对消除颗粒至关重要。消除这些影响以提高良率，使得硅熔接舟成为新一代集成电路架构中重要的载体。可用于卧式炉和立式炉。它是一种在半导体制造过程中广泛使用的材料，主要用于承载和处理硅片。硅舟有多种类型和应用，包括但不限于盒式硅舟、一体式硅舟、碳化硅舟等。
2024-04-13 13:16:59
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原创 SIC知识--（2）：衬底生产工艺难点
碳化硅产业链中，衬底供应商占据了核心话语权，主要体现在价值分配上。碳化硅衬底在产业链中占据了47%的比重，外延层占比23%，而器件设计和制造共占30%。这种价值量倒挂的现象主要源于前两者所面临的高技术壁垒。衬底长晶过程中存在三大技术难点：条件控制严格、长晶速度慢和晶型要求高。这些难点导致了加工过程的难度增加，进而造成了低产品良率和高成本。外延层的厚度和掺杂浓度是影响最终器件性能的关键参数。在碳化硅衬底的生产过程中，晶体生长是最核心的工艺环节，而切割环节则是产能的瓶颈。
2024-04-10 19:14:56
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原创 SIC知识--（1）：来龙去脉
CVD是制备碳化硅涂层的常用方法，通过在高温下分解含硅及碳的原料气体，生成碳原子和硅原子，并在基底表面形成键合反应，制备出碳化硅涂层。50年代至60年代，随着化学气相沉积（CVD）技术的发展，美国贝尔实验室的科学家Rustum Roy等人开始研究CVD SiC技术，开发了SiC气相沉积工艺，为SiC涂层材料的CVD制备奠定了基础。碳化硅的晶体结构种类繁多，达200多种，主要分为立方结构（3C）、六方结构（H）和菱面结构（R），例如2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC和15R-SiC等。
2024-04-10 19:12:31
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原创 半导体的主要四大应用
LED芯片是LED的核心部件，是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体的主要应用都有哪些？21世纪，随着云计算、5G、大数据、AI 和物联网技术的爆发，智能传感器成为了新的研究热点和应用领域，它不仅具有传统传感器的功能，还具有数据处理、通信、自适应、自校准等功能。LED芯片还有很多不同的类型，如普通LED、OLED、MiniLED、MicroLED等，它们根据不同的发光原理和结构，具有不同的性能和特点，也分别适用于不同的领域。
2024-04-09 10:55:48
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原创 半导体：一生二，二生三，三生万物
有了0和1，那么在二进制的软件世界，就有了语言，有了语言就可以说清楚业务，才可以表达逻辑，才能去表述宏观的世界... ...嗯，就是老子说的，“生万物”。是1，半导体这个两边跑的骑墙派，才能两边讨好，才有控制的表述0和1。
2024-04-09 10:37:32
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原创 AI的力量感受（附网址）
金属感 打印机，细节丰富，丁达尔效应 就有点跑题了。3D 封装长这样，跑题比较严重。总之，AI还是很厉害了，生成的图很是让人惊艳了。输入 科技感的 二维码，生成如下，还是可以的。输入金属感 的芯片，效果就很好了。金属感 扫码仪 还有点像。
2024-04-07 21:41:56
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原创 （2）NPW（监控片）【中】---业务场景精讲
自己在日常工作当中，由于非产线人员出生，对NPW的知识一直一知半解，业务场景认识的不够透彻，做系统的时候很难理解甲方的NPW业务应用，特收集了不少关于NPW的一些业务场景，下面都是一些摘抄，大家关注我标红标粗的部分，
2024-04-07 14:45:29
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原创 企业信息化建设之MCS/WCS的知识点精讲
近日，再做售前方案的时候，碰到WMS和WCS的对接的场景，有同事质疑MCS和WMS不会对接，其实大家在日常工作中碰到的都是一套系统， MCS和WCS都是指仓储控制系统，不过它们的应用场景和功能有所不同。在制造业中，MCS系统主要负责全厂物料的搬送路径指派和管理储存设备，统筹管理制造执行系统（MES）所下达的搬送命令，以优化生产管理和提高效率。
2024-04-07 13:36:34
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原创 MES实施之工控机和电脑的选择
并且很多工控机的设计是CPU封装在主板上，采用这种不可更换CPU的设计能使工控机的集成度更高，也能使工控机的尺寸更小，能适应更多的生产环境。工控机和普通电脑的组成一致，有计算机主板、CPU、硬盘、内存、外设及接口，所以对于工控机，我们只需要再配置键盘和鼠标以及一台显示器就可以了。同时，由于工控机通常是针对特定的工业应用需求进行设计和定制的，因此也更加个性化和定制化。7.尺寸和外形不同：工控机通常采用小型化设计，具有紧凑的尺寸和坚固的外壳，方便安装在狭小的空间内，而电脑则通常采用塔式或台式机设计，较为笨重。
2024-04-06 20:18:12
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原创 （3）半导体runcard【上】--基础知识精讲
此外，split runcard还涉及到对设备兼容性的考虑，因为分批的产品可能需要与主生产批次不同的设备。电子RunCard系统(eRunCard)的介绍显示，传统的纸本RunCard已经被全面自动化，通过整合制程、制造与设备相关生产现场信息，实现了生产管理的电子化和自动化。半导体runcard是一个涵盖从原材料检验到最终产品出货的全过程管理工具，它既可以是传统的纸质记录方式，也可以是现代的电子化管理系统。例如，pi run通常指的是在调整某个工艺配方时，先用非产品的晶圆做实验，以收集数据并观察变化。
2024-04-06 20:16:12
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原创 半导体制程离子注入注入的是哪些离子
通过该过程将一种元素的离子加速进入固体靶材，从而改变靶材的物理、化学或电学性质。离子注入用于半导体器件制造和金属精加工以及材料科学研究。如果离子停止并保留在目标中，则它们可以改变目标的元素成分（如果离子的成分与目标不同）。当离子以高能量撞击目标时，离子注入还会引起化学和物理变化。高能碰撞级联可能会损坏甚至破坏目标的晶体结构，并且足够高能量（数十兆电子伏）的离子可以引起核嬗变。在制造晶圆时，离子注入工艺中经常使用等有毒材料。其他常见的致癌、腐蚀性、易燃或有毒元素包括锑、砷、磷和硼。
2024-04-02 16:52:13
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原创 （2）NPW（监控片）【上】---基础知识要点精讲
半导体的生产过程已经历经数十年的发展，其中主要有两个大的发展趋势，第一，晶圆尺寸越做越大，到目前已有超过70%的产能是12寸晶圆，不过18寸晶圆产业链推进缓慢；第二，电子器件的关键尺寸越做越小，5nm 制程芯片已开始投入量产。这两大趋势都带来对晶圆的更高要求，包括表面缺陷密度、平整度等指标，导致单一晶圆生产成本居高不下。并非所有进入半导体制造过程的晶圆都用于半导体芯片制造。晶圆厂为获取最大效益，将目光着眼于提升生产良率的同时降低生产成本。
2024-04-02 16:17:46
595
原创 晶圆划片工艺及贴膜知识分享
晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；刀片切割（Blade dicing or blade sawing）厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工艺过程更为复杂；
2024-04-01 19:13:56
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原创 Wafer的T7 Code是什么，怎么来的
在半导体Cim系统中，waferstart 业务需要支持 Sorter 读取 Wafer 的 T7 Code，与 MES 的 Wafer ID 进行绑定，以便向 前追溯 Wafer 历史，那么问题来了，T7code 是什么Wafer的T7 Code是一种，用于标识双面抛光的晶圆。这种标记采用二维矩阵代码符号，适用于各种尺寸的晶圆，不仅限于450mm无缺口晶圆7。T7 Code是衬底来料背面通常会有的供应商刻的追溯ID，这是一串数字和字母组成的流水码。
2024-04-01 17:24:06
943
原创 先进封装与传统封装和CU-CU混合键合的应用
而Cu-Cu混合键合的连接具有更高的强度和稳定性，可有效地提高封装的可靠性和稳定性。封装领域的一个突出进步是3D Cu-Cu混合键合技术，它提供了一种高密度、低成本、高性能的方案，可以有效提高封装的可靠性和稳定性，同时降低成本和尺寸。另外，随着焊料凸点间距的缩小，用于接合的凸点高度和表面积的减小使得建立可靠的电连接变得越来越困难，需要精确的制造工艺来避免误差。3D封装：在芯片堆叠封装中，通过Cu-Cu混合键合实现芯片之间的互连，将多个芯片堆叠在一起，从而在有限的空间内增加更多的功能和性能。
2024-03-31 21:19:58
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原创 （1）半导体设备之sorter机【上】：全面的科普
其实sorter 就是分选机，大家日常生活买的土豆，苹果，会用到这个，大家日常用的硬币，游戏币，都是用sorter来进行挑选的，否则人工数硬币又累又苦逼，钱再对不上号，那就头大了；那么晶圆分选机（Sorter），它是半导体制造行业中的关键设备，主要用于晶圆的搬运、中转和分选。这种设备确保了生产流程的连续性和高效性，对于保障晶圆厂物料流转需求至关重要在技术规格方面，晶圆分选机的产能可以从每小时几十片到几千片不等，具体取决于设备的型号和配置。
2024-03-31 21:12:30
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原创 功率半导体IGBT模块封装工艺
将锡膏按设定图形印刷于散热底板和DBC铜板表面，为自动贴片做好前期准备 印刷效果；将IGBT芯片与FRED芯片贴装于DBC印刷锡膏表面；IGBT封装环节包括：丝网印、贴片、键合、功能测试等环节。这其中任何一个看似简单的环节，都需要高水准的封装技术和设备配合完成。例如贴片环节，将IGBT芯片与FRED芯片贴装于DBC印刷锡膏表面。这个过程需要对IGBT芯片进行取放，要确保贴片良率和效率，就要求以电机为核心的贴片机具有高速、高频、高精力控等特点。
2024-03-22 17:07:47
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原创 用数学来解释 三体中的二向箔打击为什么这么恐怖
二向箔其实是因为不可逆矩阵，也就说是一种降维打击。所谓矩阵，几何上相当于于一种仿射变换。就是整个一下，某些方向上一些，某些方向上再一些之类的。只要，你只要知道之前具体做了什么，自然可以用。然而（特征分解的情况下，这些压到0的维度就是特征值为0的特征向量）。这时候即使你知道做过什么，也无法恢复了。举个具体的例子，压扁就是一种简单的矩阵操作。如果不压到0的厚度，只需要反向拉伸就可以恢复原状。
2024-03-22 14:58:31
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原创 晶圆为什么要抛光？
晶圆的最终命运是被切成一枚枚芯片（die)，封装在暗无天日的小盒子里，只露出几枚引脚，芯片会看阈值，阻值，电流值，电压值，就是没人看它的颜值，我们在制程中，反复给晶圆打磨抛光，，这是因为随着芯片制程的缩小，光刻机的镜头要实现纳米级的成像分辨率，就得拼命增大镜片的数值孔径（Numerical Aperture)，但这同时会导致焦深（DoF）的下降，。简单说就是光刻机为了提高成像精度，牺牲了对焦能力，像新一代的EUV光刻机，数值孔径0.55，但垂直方向上的焦深，总共只有45纳米，光刻时的最佳成像区间则会更小。
2024-03-20 19:55:01
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原创 FAB 中的EES系统是什么
PMS系统就是管理FAB中设备PM和BM，怎么样提升PM的效率，该做PM的时候才做PM,实现设备CBM的管理，另外线边仓 Parts的管理，利用无线Pad实现无纸化的做业等等，都会在PMS中去实现，OEE系统主要是针对FAB各个设备的效率，瓶颈机台，设备Loss, 设备Tacttime,Alarm, 进行分析和管理，让工程师更加了解整个FAB的设备效率是什么情况，设备问题是出在哪里,这样就可以快速去解决。
2024-03-20 16:58:47
218
原创 离散制造企业MES与流程企业MES的区别
离散型MES更侧重于订单管理和生产调度，而流程型MES更注重生产过程的监控和优化。因此，在选择适合自身生产特点的MES系统时，企业需要充分考虑其产品结构层次的差异，以确保系统能够有效支持生产运营的需求。离散生产指的是以生产单个独立产品或产品组件为主的生产方式，每个产品都是独特的，生产过程中需要经过多次拼装、加工等步骤。在流程型MES产品体系结构中，生产过程以流水线方式展开，各个生产环节密切相连，形成一个连续、流畅的生产流程。相比之下，流程生产的生产过程更连贯，规划性更强，能够实现高效连续生产。
2024-03-19 21:05:53
884
原创 晶圆制造过程中常用载具的类型
OPEN CASSETTE主要在晶圆制造内工序间运送及清洗等工艺中使用，与FOSB、FOUP等载具一样，一般采用耐温、机械性能优异、尺寸稳定性以及坚固耐用、防静电、低释气、低析出、可回收再利用的材料。不同晶圆大小、工艺节点9以及工艺所选用的材质有所不同，一般材质有PFA9PTFE、PP、PEEK、PES、PC、PBT、PEI9、COP等。与其他晶圆载具相比，前开式晶圆传送盒具有能提高晶圆产量、提升晶圆良品率、无静电损害等优势。晶圆载具用于硅片生产、晶圆制造以及工厂之间晶圆的储存、传送、运输以及防护。
2024-03-19 20:56:11
823
原创 比时间管理更重要的是精力管理
人就像一块充电电池，精力就是电池的电量。我们无法改变一天的时间总量，却可以改变精力的储备和质量。我们大多数人都学习过时间管理，但时间毕竟是有限的。真正帮助我们获得成功的关键因素并非我们在一件事上投入了多少时间，而是在有限的时间内，如何投入最有效的精力。时间只有在和高质量的精力交汇时才能产生最大效率。精力好的人，往往能在快节奏的工作生活中扛住压力；相反，精力差的人，随着时间推移，人生的差距会越来越大。
2024-03-11 21:33:45
418
原创 多晶硅为什么能取代铝做栅极材料
栅，英文名Gate，门的意思。通过改变栅极电压，可以控制硅表面是否形成一个导电通道，进而控制电子（或空穴）的流动，就像开启或关闭一扇门一样。如果在如此高的温度将Al用作栅极材料，Al会熔化(铝的熔点660℃)，会扩散到下层的硅层而导致短路。早期的MOSFET使用铝（Al）作为栅材料，因为铝是具有较低的电阻率，能够有效地传递控制电压至栅氧化层，从而控制沟道中的电流。通过化学气相沉积（CVD）技术沉积一层均匀的多晶硅层，再通过掺杂过程（扩散或离子注入）引入杂质原子（如磷或硼），以调节其电导率。
2024-03-11 21:27:50
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原创 SIC知识--（3）：激光在SIC晶圆制造中的应用
碳化硅是一种性能优异的第三代半导体材料，具有光学性能良好、化学惰性大、物理特性优良的特点，包括带隙宽、击穿电压高、热导率高和耐高温性能强等优点，常作为新一代高频、高功率器件的衬底材料，广泛应用在高端制造业领域，如新一代电子工业设备、航空航天等。尤为突出的是近年来兴起且不断壮大的新能源汽车行业，预估2025年中国新能源汽车年产近600万辆，对功率芯片的需求为1000-2000颗/台车，其中超过50%为碳化硅芯片。在激光与碳化硅材料的相互作用中，
2024-03-06 15:46:23
860
原创 STDF文件标准在半导体的应用
stdf：(Standard Test Data Format)通用测试数据格式STDF文件标准:晶圆工艺流程、工艺参数、工艺控制、缺陷管理、工艺模拟和优化及文件格式规范。
2024-03-06 15:33:40
455
原创 什么是片内&片间均匀性？
因为芯片通常具有上千个工艺步骤，如果不对均匀性进行卡控，越往后，制程的良率越低，造成的影响也就越大。均匀性在芯片制程的每一个工序中都需要考虑到，包括薄膜沉积，刻蚀，光刻，cmp，离子注入等。测量片内均匀性通常会选择若干代表性点，这些点涵盖了晶圆的主要区域，例如在晶圆的中心、边缘，边缘与中心之间。举个例子：如果我们在一个晶圆上测量刻蚀后的金属线条尺寸，并在多个位置找到的最大值是2000Å，最小值是1800Å，平均值是1850Å。片间均匀性指的是在一个批次内，不同晶圆之间的指标差异的一致性。
2024-03-02 21:55:31
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原创 开源工业软件：SCADA系统开源
Visa（至少对于 Visa/devices 文件夹中的设备）系统统计OneWire（仅限 DS18B20）幻影（无已知问题）smbus（至少对于 smbus/devices 文件夹中的设备）GPIO（至少对于树莓派来说）webservice（json和xml解析）系统状态脚本编写事件（无已知问题）导出（无已知问题）HMI（无已知问题）
2024-03-02 21:31:43
1321
原创 SIC知识--（4）：晶锭缺陷小知识
晶锭缺陷是在碳化硅（SiC）晶体生长过程中产生的晶体结构缺陷，尤其是在使用物理气相输运（PVT）法生长4H-SiC晶锭时。这些缺陷会影响晶体的电学和机械性能，限制其在高性能电子和光电子器件中的应用。了解晶锭缺陷的产生原因及控制方法对于优化生长过程和提高晶体质量具有重要意义。
2024-02-27 16:11:16
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