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当SD=1且IN=1时 上MOS打开，VS的电压为VIN，VB的电压大概为VIN+VCC，此时体现了电容的自举升压作用。SD=1并且IN =0时，自举电容进行充电电容两端电压约为VCC也就是12V但要减去二极管的压降。我使用到的NMOS为SL05N06Z，查阅手册可以得出：Qg=9nc。自举电容的耐压高于VCC即可，不需要高于VIN+VCC。此时可以计算出自举电容电压Vge=Vcc-F=11V。使用到的二极管为1N4148WS其正向压降F=1V。两个二极管D1 D1的作用是加快MOS的开关速度。
2023-09-17 15:46:04
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原创 AD23简记
选中层，点击右边的Properties , Pullback distance 就是内缩距离。EMC要求的话，电源层要内缩20H，H指的是两个平面层的厚度；总体来说 GND内缩20mil；POWER内缩70mil。不做仿真的话不需要设置层厚度参数，大部分都不用。右下角Panels勾选PCB在左侧显示出来。需要勾选前边的颜色选择，F5是颜色开关切换。选择需要的网络，右键改变网络颜色。快捷键 N 之后选择需要隐藏的。不勾选盖油，一定不允许勾选焊油。Ctrl + D 调出面板。调整后需要设计优先级。
2023-09-16 14:33:29
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原创 电源学习笔记
在开关断开的阶段，电感释放储存的能量，将其传递给输出电路，使输出电压保持稳定。Boost升压电路的工作过程涉及电感的充电和放电，并且随着开关的周期性切换，能量的传输和转换实现了输入电压到输出电压的升压效果。MOS的导通电阻很低，所以导通损耗比较低，而肖特基二极管的损耗为正向导通压降X通过电流，损耗较大。在升压周期的开关闭合阶段，输入电压从电源通过电感充电，同时输出电压通过电容器向负载提供电能。当开关关闭时：电流停止，通过输出电感产生反向电压，从而补偿输出电压的降低，驱动负载。需要根据不同的材质进行计算。
2023-08-07 19:38:06
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空空如也
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