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原创 欢迎关注我的公众号：小鱼教你模数电
欢迎关注我的公众号：鱼与渔大学生服务在公众号也会同步更新软件安装教程，安装问题分析，以及解答大家的一些安装问题。
2020-10-24 11:21:49
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原创 交流电压的峰峰值，有效值，均方根值，平均值，最大值，最小值和幅值
幅值指的是交流电压平均高值减去平均低值，对于正弦波电压而言幅值和峰峰值基本一致，同样的方波电压幅值和峰峰值也基本是一致的。最小值是指电压瞬间的最小值，用Vmin表示，对于正弦波而言最小值就是其波谷的电压值，对于方波而言最小值是其低电压值。峰峰值指的是电压最大值和最小值的绝对差值，一般用VPP表示，比如正弦波电压，它的峰峰值就是最大值减最小值。的最大值，用Vmax表示，对于正弦波而言最大值就是其波峰的电压值，对于方波而言最大值是其高电压值。同样的对于方波电压，峰峰值就是高电压的值减低电压的值。
2024-04-03 21:41:33
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原创 运放反馈电阻上并联小电容的作用
但实际电路中，运放的输入引脚一般存在电容，输出引脚有输出电阻，然后输出端外围电路会存在负载电容，这样反馈回路就是一个二阶的RC模型，它的相位频率曲线是这个。当我们在反馈电阻上并联一个反馈电容时，这个电容起到一个相位超前补偿的作用，也就减小了上面由于输入电容和负载电容导致的相位滞后，使反馈环路相位差小于-180°。相位频率曲线是这个，输出信号的相位是滞后输入信号的，输出与输入信号的最大相位差是-90°。相位频率曲线是这个，输出信号的相位是超前输入信号的，输出与输入信号最大相位差是90°。
2024-01-29 21:41:42
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原创 RS485浪涌防护经验分享
仔细观察测试浪涌后损坏的485收发器芯片发现，外观损坏程度并不是太大，没有出现大面积的损坏，初步估计是浪涌经过防护器件后还是会有比较大的残压进入到485收发器芯片，从而导致收发器芯片过压损坏。首先对于整改后的电路我们要进行485的通信测试，看数据发送和接收是否正常，短距离通信中发现通信没有问题，数据发送和接受都正常。对于一些室外的产品，485信号可能会引出，长期暴露在户外，并且走线还会比较长，所以对于户外485信号浪涌防护是必不可少的。浪涌测试采用10/700的波形，测试电压为正负4KV。
2024-01-15 21:48:54
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原创 运放如何进行全波整流
然后Uo1通过R4接到运放A2的反相端，输入信号也通过R3接到运放A2的反相端，对于运放A2和外围的电阻这时可以看成是一个反向求和电路，输出电压Vo=-Rf*(Uo1/R4+VIn/R3)，如果取R3=2R4，则Vo=Rf/R3Vin，这时输出电压是大于0的。当输入信号VIN为正时，D1截止，D2导通，电流方向从R1到R2再到D2，这时运放A1和外围电阻构成了一个反相比例运算放大电路，放大倍数是-1，所以Uo1=-VIn+,加号表述输入信号极性为正。如果想要将整流后的信号放大，只需要增大Rf即可。
2023-11-24 08:20:10
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原创 单电源供电的运放如何增加直流偏置
当信号输入在运放的同相端时，我们在通过两个阻值相等的电阻分压来给运放的同相端产生二分之一VCC的电压，这个电压就是我们添加的偏置电压，输入信号经过电容后整体将会抬升二分之一VCC，从而输入信号全部变成了正电压。为了使运放无法对偏置电压进行放大，加入了电容C1，仅仅分析偏置电压时，电容对直流电压相当于开路，所以偏置电压作为输入时，运放相当于一个电压跟随器，所以偏置电压不会被放大。为了获得稳定的偏置电压，减小电源纹波噪声带来的影响，一般还会在偏置电压上加一个去耦电容C2，这时RIN就充当电路的输入电阻，
2023-11-13 21:58:13
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原创 运放电压跟随器为什么要加电阻
另外一种情况就是断电的瞬间运放内部保护电路可能是失效的，输入端如果放置了电容，输入电压则不会突然消失，这对运放的输入端可能会出现过压的情况，如果没有串接电阻，会导致运放输入端流入过量的电流从而损坏。所以一般在运放的内部，同相端和反相端都会有钳位保护的二极管，防止输入的共模电压和差模电压超过一定的电压值，有一些则是有静电保护的ESD管，防止静电损坏运放。对于电压跟随器，当输入信号超过VCC时，上面的二极管导通，所以这时电阻R1就起到一个限流的作用，防止流过二极管电流过大，损坏芯片。
2023-11-06 21:46:21
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原创 比例运算放大电路为什么要加平衡电阻
但是一般运放同相端和反相端偏置电流由于输入级器件不可能做到完全相同，所以他们是存在差异的，这两个值的差我们称之为运放的输入失调电流，用Ios表示，Ios一般比IB要小一些。但是实际上运放的输入部分一般为三极管或场效应管，对于三极管输入的运放来说，三极管工作在放大区是需要一定的偏置电流的，对于运放来说这个电流一般是nA级别。当R2=R1//Rf时，输出电压为0，这时运放输入偏置电流导致的输出电压为零，所以比例运算放大电路平衡电阻的作用就是消除输入偏置电流对输出电压的影响。它的阻值等于 R1和Rf并联的值。
2023-10-23 22:03:02
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原创 扒一扒集成运放uA741的内部电路
对于Q20而言，限流的功能则借由侦测流过Q19发射极电阻R11的电流，再以此控制Q15的基极偏置电流来达成。Q13组成的电流镜负责提供增益级电路的偏置电流，让增益级的直流工作点不受其输出电压的干扰而飘移。Q9组成的电流镜决定输入级的偏置电流，从而决定输入级的直流状态。的主要放大环节，具有很强的放大能力，运放对信号的放大主要就是靠这两个三极管。运放的内部参考电流，参考电流等于正电源和负电源的差值然后减去2倍的三极管B。，它取代了高阻值的电阻，提高了放大器的放大能力。这是一个典型的上N下P的三极管推挽电路，
2023-10-12 22:04:15
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原创 PCB走线的传输延时有多少
当信号在pcb上的走线延时大于信号上升时间的20%左右时，我们一般认为这个信号属于高速信号，会产生信号反射等问题，有明显的振铃。比如对于上升时间为1ns的方波信号来说，pcb走线长度大于1.2inch，也就是大概3cm时，信号就会有明显的振铃，也就是在PCB上，当信号线走线长度为6mil的时候，信号从驱动端到达接收端需要经过1ps。信号在PCB上的传输速度虽然很快，但也是存在延时的，一般经验值是6mil/ps。其中C为信号在真空中的传播速率，Er为PCB材料的相对介电常数，
2023-10-07 21:34:06
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原创 电容为什么可以隔直流通交流
主要是因为交流信号大小和方向都是在变化的，会使电容不断的充电和放电，从而让我们感觉有电流流过了电容 ，实际上电流是没有穿过电容中间的绝缘电介质的，只是电荷在电容极板上的累积和泄放，形成了电流。这就是电容的通交流。而直流信号在电容充电完成后，大小和方向就不会变化了，而电容中间的电介质又是绝缘的，电容这时我们可以看成是开路。所以这时不会有电流流过电容，这就是电容的隔直流。大家可以看到带有直流偏置电压的正弦波信号经过电容后，就只剩下交流信号了，也就是这个信号基本是关于0电平对称的，上面是正，下面是负。
2023-09-18 22:01:55
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原创 电路中VCC VDD VSS VEE GND的含义
VSS一般表示数字芯片电源的参考0电平引脚，在芯片中一般与VDD成对出现，一般接电源的GND。如果加上D，则标示该芯片内部数字部分的电源引脚，VDD一般接相应的正电源电压。在电路中，芯片引脚经常会出现VCC，VDD，VSS，VEE和GND这些标示。其中VCC一般表示通用芯片的电源引脚，比如一些模拟运放的正电源引脚，7。VEE一般表示芯片电源的参考0电平引脚或模拟芯片的负电源引脚，GND表示芯片电源的参考0电平引脚，一般接电源的GND。系列数字芯片的电源引脚，VCC一般接相应的正电源电压。
2023-09-15 21:33:22
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原创 MOS管为什么会存在寄生电感
其实MOS管是做在一块晶粒上，这个晶粒其实是比较小的，然后MOS管的封装外壳比这个晶粒的尺寸会大很多，封装外壳的引脚与晶粒上的焊盘是通过导线连接的，正是这个导线引入了寄生电感，所以这个寄生电感也称为引线电感。说到MOS管的寄生参数，我们一般都只想到mos管各极间的寄生电容，很少会想到MOS管的寄生电感。并且一般晶圆到源极的引线大于到漏极的引线，所以一般源极的寄生电感大于漏极的寄生电感。其实分立的MOS管它是存在寄生电感的，并且栅极，源极和漏极都存在。MOS管的这个寄生电感感值一般是NH级别。
2023-09-10 21:27:57
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原创 MOS管开关电路栅极为什么要串接电阻
所以MOS管开关电路就等效于这个LC低通滤波电路，它的增益频率曲线是这样的，在谐振点频率附近会产生很高的增益，而驱动信号又是频率分量非常丰富的阶跃信号，必定有谐振频率点附近的信号，所以很容易产生谐振，从而在MOS管栅极产生振荡。MOS管的驱动信号一般是一个阶跃信号，频率分量非常丰富，而驱动芯片到MOS管的走线存在寄生电感，MOS管内部电极引线也会有电感， 并且MOS管的极间是存在寄生电容的。在MOS管开关电路或者驱动电路中，常常会在MOS管的栅极串接一个电阻。串接电阻的阻值增大，谐振频率点增益减小。
2023-08-29 21:52:22
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原创 运放和三极管构成的恒流源电路
当流过负载的电流增大，那么流过R1的电流增大，R1上的电压也增大，从而UN增大，所以UP-UN减小，运放的输出减小，所以流过三极管的电流减小，从而流过负载的电流也减小；当流过负载的电流减小，那么流过R1的电流减小，R1上的电压也减小，从而UN减小，所以UP-UN增大，运放的输出增大，所以流过三极管的电流增大，从而流过负载的电流增大；这是一个由运放和三极管构成的恒流源电路，RL为负载电阻，R1为采样电阻。这个是输出恒定1MA电流的仿真的电路图，大家可以看下。正是因为这个负反馈，从而达到输出恒定电流的目的。
2023-08-21 22:11:35
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原创 如何分辨NMOS和PMOS的电路符号
大家可以看这个N沟道增强型MOS管的示意图，沟道里面导电粒子是电子，所以导电沟道我们可以看成是N型的反型层，然后衬底是P型的，所以衬底和反型层间PN结方向由P指向N，也就是由衬底指向栅极方向，这也就不难理解NMOS管的电路符号的箭头方向是指向栅极的。同理，对于P沟道增强型MOS管，衬底为N型，导电沟道为P型的反型层，所以衬底和反型层PN结方向由P指向N，也就是由栅极指向衬底方向，这也就不难理解PMOS管的电路符号箭头方向是背向栅极的。对于PMOS管的体二极管，漏极是体二极管的正极，源极是体二极管的负极。
2023-08-15 06:56:21
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原创 什么是耗尽型MOS管
我们常用的MOS管属于增强型MOS管，对于N沟道增强型MOS管，需要UGS大于开启电压，MOS管才能导通。其实还有一种MOS管，当UGS大于0，等于0，小于0时MOS管都能导通，这种MOS管叫做耗尽型 MOS管。这个是N沟道耗尽型MOS管的输入特性曲线，我们能很直观的看出，他在UGS大于0，等于0，小于0时都能导通。对于P沟道耗尽型MOS管，他是在SIO2绝缘层中加入了负离子，在UGS大于0，等于0，小于0时都能导通。即使UGS=0，在正离子的作用下，也会形成导电沟道，从而可以流过电流。
2023-08-03 21:47:02
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原创 MOS管的体二极管是怎么形成的
对于单个MOS管，一般衬底不是单独引出的，而是和源极接在一起的。我们看到这个N沟道MOS管的结构，源极和漏极是一个重度掺杂的N区，它们是制作在P型衬底上的。一般MOS管的源极和漏极之间会存在体二极管，对于N沟道的MOS管，体二极管由源极指向漏极。对于PMOS管，体二极管由漏极指向源极，那么MOS管为什么会有这个体二极管呢？当在N沟道MOS管的源极接上正极，漏极接上负极，就会有电流流过这个体二极管。IRF720这个MOS管，我们看到它的数据手册，体二极管流过的持续电流为3.A，瞬时最大电流最大能到1。
2023-07-30 20:53:11
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原创 MOS管可以双向流过电流吗
它的工作原理就是首先NMOS管的体二极管导通，然后使NMOS管的源极处于0.7V左右的电压，只要VGS大于MOS管的开启电压，那么MOS管就会导通，电流是从源极到漏极。第二个电路就是BUCK电源的开关MOS管，当上面的NMOS管关闭，下面的NMOS导通时，下MOS作为续流管，电流是从源极到漏极的。在大多数MOS管电路中，对于NMOS管，电流方向一般是从漏极到源极，对于PMOS管，电流方向一般是从源极到漏极。那么MOS管可以反向流过电流吗？也就是NMOS管电流从源极到漏极，PMOS管电流从漏极到源极。
2023-07-27 21:27:21
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原创 MOS管的工作原理
当栅极和源极之间的电压Ugs继续增大，，一方面耗尽层增宽，另一方面P型衬底中的少子自由电子会被吸引到耗尽层和SIO2绝缘层之间，，形成导电沟道，有了导电沟道后，在MOS管的漏极和源极间加上电压就可以流过电流了。此时如果DS间电压继续增大，夹断区域随之延长，DS电压大部分用于克服夹断区对漏极电流的阻力，漏极电流几乎不随DS间的电压变化。当Ugs是大于开启电压Ugsth的某个值后，漏极电流随着漏极和源极之间加正向电压的增大而增大，导通沟道沿源-漏的方向逐渐变窄。这个是完整的N沟道增强型MOS管的输出特性曲线。
2023-07-24 21:14:00
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原创 串口问题案例分享
这块板子的处理器芯片串口部分的电路示意图是这个，串口信号从处理器出来是1.8V，经过一个1.8V转3.3V的电平转换芯片变成3.3V的串口信号，再经过一个MAX3232芯片，将3.3V串口信号变成RS232电平的串口信号，最后经过TVS防护电路连接到连接器。但是如果板子与电脑只接232串口的发送信号，不接232串口的接收信号或者232串口的发送和接收信号都不接，板子不能进入系统，只能进入到UBOOT，并且log打印还会有乱码。大家可以看到，232串口接收信号在发送信号变化时，也会莫名其妙的产生信号。
2023-07-10 22:00:43
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原创 什么是三极管推挽电路
当没有信号输入时，电源通过PNP三极管EB间的二极管，然后通过NPN三极管BE间而二极管到地，这时这两个三极管都是导通的，三极管很容易由于电流过大而损坏。当输入信号为VCC时，上面的三极管导通，下面的三极管截止，输出信号为VCC-0.7V，这个0.7V就是上面NPN三极管BE间的导通压降。比如上面的三极管导通，那么输出电压就是输入电压减去0.7V，所以下面的PNP三极管由于基极电压大于发射极电压，是不会导通的。这是一个三极管推挽电路，上面是一个NPN的三极管，下面是一个PNP的三极管。
2023-07-03 21:56:39
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原创 PNP三极管开关电路注意事项
但是如果MCU的IO高电平小于VCC电压时，比如MCU的IO高电平为3.3V，而VCC等于5V时，由于三极管BE间的电压还是会小于开启电压，三极管还是会导通，三极管会出现关不断的现象。当MCU输出高电平，很多同学认为三极管BE间的电压大于开启，这时三极管截止。其实这个要分情况，当MCU的IO高电平等于VCC电压时，三极管确实是截止的。当MCU输出低电平时，三极管BE间的电压小于开启电压，这时三极管饱和导通。所以三极管开关电路中常见的是NPN三极管，PNP用的并不多。这个是一个NPN三极管的开关电路。
2023-06-30 21:33:35
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原创 三极管开关电路限流电阻怎么选取
MCU上电时其IO一般为输入状态，所以为了让三极管上电时有一个确定电平，这个电路还会在三极管基极加一个下拉电阻，取值一般是10K，这个10K电阻会分走基极大概0.07mA的电流，这个对于基极的电流来说是可以忽略的。为了让三极管CE间的电压尽可能小，三极管处于一个深度饱和的状态，一般三极管基极的电流取集电极电流的十分之一，这里也就是2mA，三极管导通电压取0.7V，所以有Rb为1.3K欧姆。当MCU输出高电平，三极管饱和导通，负载有电流流过，那么怎么去选取三极管基极的限流电阻RB呢？
2023-06-26 19:34:55
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原创 什么是三极管的截止饱和放大
当BE间电压大于开启电压UON，并且CE间电压≥BE间电压时，三极管进入放大状态，这时集电极电流IC=βIB，IC几乎由IB决定，与CE之间的电压无关，三极管体现出电流放大的特性。当三级管BE之间的电压小于等于BE间的开启电压UON，并且CE间电压>BE间电压时 ，三极管处于截止状态，一般硅管在0.7V左右，锗管在0.3V左右。输入为0时，三极管处于截止状态，CE间的电压为电源电压，这时三极管可以看成是一个断开的开关。输入为1时三极管处于饱和导通状态，CE间的电压很小，这时三极管可以看成是一个导通的开关。
2023-06-14 20:59:53
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原创 三极管的工作原理
在一块硅片上制造出三个掺杂区域，左边的区域是掺杂浓度很高的N区，里面有大量的自由电子，中间的区域是掺杂浓度很低并且很薄的P区，里面有少量的空穴，右边的区域是掺杂浓度一般的N区，但是它的面积很大。当在BE外部接上电源，使发射结正偏，由于发射区是重度掺杂，所以里面的大量电子穿过发射结扩散到基区，这时形成电流IE，电流方向于电子的运动方向是相反的。扩散过来的电子有极少的会与基区的空穴的复合，这时会形成基极到发射极的电流IB；从左到右依次称为发射区，基区，集电区，分别用字母E，B和C表示。
2023-06-06 21:16:13
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原创 如何设计一个过压保护电路
蓝色的是输入电压，白色的是输出电压，当输入电压到达一定的值后，输出电压会变为零，从而达到了过压保护的目的，用光标查看，输出电压为零时的输入电压是22.8V，这个和我们之前讲的20.7V有一些出入，主要是因为三极管导通后，集电极和发射极的压差大于PMOS的开启电压还需要更高一点的输入电压，所以这一段时间，PMOS充当一个电阻。这个电路主要是利用稳压二极管的反向电压小于其稳定电压时，稳压二极管只有很有小的漏电流流过，一般是uA级别的，这时稳压管可以看成是断开的。我们来看下仿真的波形。
2023-06-05 21:54:30
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原创 什么是肖特基二极管
因为肖特基二极管的空间电荷区（势垒高度）比普通二极管的窄，所以肖特基二极管正向导通压降比较小，比如SS14在1A电流导通压降为0.5V左右，而硅二极管1N4007在1A电流下导通压降在0.9V左右。肖特基二极管的漏电流要比普通二极管的大很多，常温下普通二极管漏电流一般只有几微安，而肖特基二极管的反向漏电流在几百微安。所以肖特基二极管常用在一些高速开关的电路，比如开关电源的续流二极管就是用的肖特基二极管，如果用普通二极管，电路会工作异常。肖特基二极管是由N型半导体和金属接触制成，交界面形成肖特基结。
2023-05-30 07:00:55
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原创 发光二极管的发光原理
究其原因就是普通二极管使用的半导体材料一般是单晶硅，而发光二极管使用的半导体材料一般是化合物，比如磷化镓，这种材料电子在与空穴复合时可以辐射出可见光。发光二极管简称LED，当给发光二极管施加正向电压时，发光二极管导通，并且会发出光，那么发光二极管为什么会发光呢？而放光二极管其基本结构也是PN结，正向导通时，N区电子向P区移动，P区空穴向N区移动，部分电子和空穴复合。首先我们看到普通的二极管，正向导通时，N区电子向P区移动，P区空穴向N区移动，部分电子和空穴复合.
2023-05-24 22:27:35
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原创 为什么二极管具有单向导通性
当把N型半导体和P型半导体做在同一块硅片上时，在他们交界的地方就形成了PN结，由于物质总是从浓度高的地方扩散到浓度低的地方，所以P区的空穴向N区扩散， 同时N区的电子向P区扩散，电子和空穴会在P区和N区交界的附近产生复合。当给二极管施加正向电压时，外部的电场与PN结的内部电场方向相反，内部电场会被削弱，空间电荷区变窄，当电压达到一定的值后，外部电场会加速P区的空穴向N区扩散，同时也加速N区的电子向P区扩散，从而形成形成流过二极管的正向电流。这个区域称为空间电荷区，PN结内建电场方向是从N区指向P区。
2023-05-09 21:40:50
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原创 温度对晶振频率的影响
然后就是对于晶振的振荡电路，这两个负载电容的选择，一般要选择C0G或者NP0材质的电容，因为C0G或NP0材质电容的容值随温度的变化比较小，这两个电容的容值是可以影响晶振的谐振频率的，所以用C0G或者NP0的电容就可以减小温度对晶振的谐振频率影响。比如最常见的AT切的石英晶体，它的频率偏差随温度的曲线是这个，我们前面说的晶振误差是指在25摄氏度环境下面晶振的误差，所以大家可以看下这个曲线，在25度下，温度引起的晶振频率偏差为0。我们在设计晶振电路时一定要把温度对晶振的影响考虑进去。
2023-05-07 21:52:22
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原创 32.768KHZ的晶振有什么用
32.768KHZ晶振产生的时钟信号，经过15次频后就能产生频率为1HZ的信号，也就是秒脉冲信号，通过计数这个秒脉冲信号我们就能知道当前的时间和日期了。所以一般综合考虑用32.768KHZ的晶振做实时时钟的时钟源。下面我们来看下RTC时钟电路，包括一个RTC芯片，给RTC芯片提供时钟的晶振频率就是32.768KHZ，MCU读取RTC芯片里面时间信息一般是通过IIC总线。有的同学会感到奇怪，我们平时用的晶振频率不都是这种多少M吗，比如16M，25M，为什么会冒出来一个这么奇怪频率的晶振。
2023-04-28 08:23:25
2053
原创 为什么LC谐振频率附近信号会被放大
看到这个LC低通滤波电路，假设输入信号源内阻为Rs，L和C为理想电感和电容，输出信号为电容两端的电压。只要Rs分之一乘以根号下C分之L大于1，那么输入信号就会被放大，这个值我们也称为LC电路的品质因数。Rs越小，LC电路谐振点增益越大，所以我们常常用串联电阻的方式减小LC电路谐振点的增益。LC产生谐振时，感抗等于容抗，电抗为0，整个电路呈现电阻特性。LC电路的电感值越大，谐振点的增益越大，谐振频率越小。LC电路的电容越小，谐振点的增益越大，谐振频率越大。负载电阻越大，LC电路谐振点增益越大。
2023-04-27 06:44:18
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原创 为什么有时候磁珠会使电源的纹波变大
如果我们前级的电源是BUCK电源提供的的，电源的开关频率正好落在谐振频率附近，那么输出电压的纹波经过磁珠到芯片电源输入处就会被放大。我们看到它的阻抗曲线，当频率比较低的时候，磁珠的阻抗主要由感抗决定，磁珠呈感性，相当于一个电感，这个电感感值一般在几百nH。要解决这种问题其实也很简单，只需要把磁珠和电容的谐振频率点与电源的开关频率错开就可以了，我们一般把后面的这个电容变大一点。假设磁珠在频率比较低时感值为800nH，后面加的电容为100nF，那么我么可以计算出，这个电路的谐振频率为580KHZ。
2023-04-25 21:45:41
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原创 磁珠的工作原理
根据电磁感应定律，变化的磁场会产生电场，这时在磁珠铁氧体的截面上就会产生环形电场，进而会有环形电流产生，从而会在铁氧体上产生热量，形成损耗，这种叫涡流损耗。当信号频率比较低时，流过磁珠的电流变化的比较慢，磁场变化的也比较慢，在铁氧体上产生的感应电场小，从而损耗小。当信号频率比较高时，流过磁珠的电流变化的比较快，磁场变化的也比较快，在铁氧体上产生的感应电场大，从而损耗大。磁珠是一个耗能元器件，他能把频率相对较高的信号以热量的形式耗散掉，保留频率相对较低的信号。主要有这种插件的磁珠，还有这种贴片的磁珠。
2023-04-24 21:38:08
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原创 铝电解电容为什么不能承受反向电压
当在电解电容两端施加反向电压时，负离子聚集在阴极铝箔附近，正离子聚集在电介质AL2O3附近带，正离子中有很多氢离子，由于氢离子尺寸很小，能够穿过电介质Al2O3，到达阳极铝箔处，这时氢离子会转化成氢气。电解液里面是一些导电的离子，电解液是真正的阴极，接着加上阴极的铝箔，并将阳极铝箔，电解纸，阴极铝箔卷在一起，加上引线端子，最后装入铝壳，密封后就形成了铝电解电容了。这个是我们常常用到的铝电解电容，大家都知道铝电解电容是有极性的，长脚的一端是正极，短脚的一端是负极。这个AL2O3就是铝电解电容的电介质。
2023-04-23 21:10:22
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原创 LC电路是如何产生振荡的
电感给电容正向充电，电感和电容两端电压慢慢升高，流过电感的电流反向慢慢减小，当电感存储的磁能完全转换成电容的电能时，电容和电感两端电压达到最大，流过电感的电流变为0。然后电容又通过电感反向放电，电容存储的电能慢慢转换为电感的磁能，电感电流的方向是从下面流入，上面流出，与前面的电流方向相反。当电容电能释放完后，电感存储的磁能又会慢慢转换成电容的电能，这时流过电感电流的方向与上一步的方向保持不变，电感给电容反向充电，电容和电感两端电压会反向慢慢升高，流过电感的电流慢慢减小。这时我们称电感和电容产生了振荡。
2023-04-22 22:01:08
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原创 什么是一体成型电感
比如在BUCK型降压电路中，如果是50V转3.3V，电感两端的压差在47V左右，并且开关信号有可能会有尖峰或振荡，如果使用一体成型电感，那么我们就需要注意这个一体成型电感的耐压要大于这个压差值，并且还要有一定的余量。首先准备一个绕制好了的线圈，然后将线圈埋入装有金属磁性粉末的模具内，接着用机器压铸磁性粉末，成型后，引出电感的引脚，制作焊盘，这就成了一体成型的电感。需要注意的是一体成型电感有一个耐压的问题，在使用其它绕线电感我们平时很少说电感的耐压问题，这是因为绕线电感导线是漆包线，漆包线的耐压是很高的。
2023-04-21 06:36:53
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原创 共模电感是如何抑制共模信号的
当共模信号进入共模电感时，如果两个线圈电流都是是流入的，，他们的电流方向是相同的，这时这两个线圈形成的磁场方向我们根据右手定则可以知道方向是相同的，两个磁场叠加成一个更强的磁场，从而两个线圈都具有很大的电感量，会阻止这个共模信号的变化，从而对共模信号有很强的抑制作用。这是一个共模电感，外观它和我们常用的电感最大的区别就是共模电感有四个引脚，共模电感的磁芯上绕着两组线圈，这两个线圈匝数和材料都是一样的。共模电感最主要的作用就是能抑制共模信号，一般用在电源或信号的EMI电路中。从一个系统的一对输入端看。
2023-04-19 23:02:42
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Protues 8.6安装包+安装教程
2019-04-07
空空如也
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