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原创 S参数基本说明
一般来说,S参数有S11、S12,S21,S22。S11:也称为回波损耗,输入端反射功率/输入功率;S22:跟S11相反,指的是输出端的反射指标;S12,信道反向的插入损耗。S21:传说中的插入损耗;
2024-03-28 22:10:59 54
原创 PCB损耗来源
辐射损耗:辐射损耗是由于微带线结构的半开路性质造成的电磁波辐射,一般比较小,可以忽略不计。介电损耗:介电损耗是由于电场通过介质时分子的交替极化和晶格碰撞造成的。信号经过PCB板会产生损耗,主要包括导体损耗,介电损耗和辐射损耗。导体损耗:导体损耗是由于电流流动过程中产生电阻损耗而发热。
2024-03-28 22:03:15 181
原创 印制电路板叠层结构
芯板:CORE,可以理解成在半固化片的基础上上下两层都加了铜箔,但是通常为了增加强度,中间实际的材质跟半固化片不太一样。印制电路板的叠层是由铜箔、半固化片和芯板堆叠而成。半固化片:PP,具有粘性,是一种绝缘介质。铜箔,就是铜皮,是信号传输的载体,导电。
2024-03-24 16:27:29 86
原创 相对介电常数
假设有两块平行的金属板放置在真空中,金属板之间的电容为1uF,如果将这两块金属板之间填充其他材料,此时若金属板之间的电容变为了4uF,那么这个材料的介电常数为4。要注意,这是是相对于真空来说的,除了真空称为介电常数,其他材料其实应该称为"相对"介电常数,只是很多人描述时省略了相对二字。介电常数,也称电容率。真空的介电常数为1。
2024-03-23 23:22:25 301
原创 信号完整性—阻抗不匹配导致信号反射深度剖析
如果河道由宽变窄,在河流到达交界点的瞬间,由于后面窄河道无法承载这么大的水量,对于的河水就会发生"反激",即反向流动,当然,这个反向流动仅仅是发生在瞬间,非稳态。如果河道由窄变宽,在河流到达交界点的瞬间,由于后面的河道太大,前面的窄河流暂时无法满足后面的需求,表现为后面的河道在"吸水",原本前面窄的河道水位就会下降。假设传输线末端开路,在电荷到达传输线末端瞬间,由于"惯性"作用,将有等同于沿着末端传输的电流,反向往发射端传输,形成末端电压等于两倍输入电压的现象。反射系数🟰(Z后-Z前)/(Z后+Z前)
2024-03-20 22:17:45 343
原创 Speccpu2017 CPU性能测试
其中每一项又分为整形和浮点,跑完整个测试需要数个小时甚至数天。1、rate(吞吐量)2、speed(速率)
2024-03-20 19:30:14 131
原创 计算机CPU开机自检码
0xab Setup Input Wait0xa9 Start of Setup0x92 PCI Bus initialization is started0x92 PCI Bus initialization is started0x92 PCI Bus initialization is started0x92 PCI Bus initialization is started0x92 PCI Bus initialization is starte
2024-02-07 11:29:32 1183
原创 介电常数含义
导体周围的材料会增加导体之间的电容量,假设两块平行金属导体平板,放至在真空或者空气中,他们组成的电容量是1uF;而如果在两板之间填充某种绝缘材料,得到的电容将会大于1uF,具体的值跟填充的材料有关,如果填充FR4,电容会增至约4.5uF。在PCB印制电路板中,走线和平面层充满了绝缘填充介质,目前比较广泛的是一种称为FR4的环氧树脂玻璃纤维材料,介质会影响传输线的阻抗。这是一种固定的倍数比例增长,可以作为绝缘材料的一个特性参数,我们称为相对介电常数,相对是相对于真空(空气),通常也直接称为介电常数。
2024-02-06 14:15:01 358
原创 Linux指令:lscpu
Core(s) per socket: # 每个CPU插槽核数/每颗物理CPU核数。CPU op-mode(s): # CPU 运行模式。CPU(s): # 逻辑CPU颗数。On-line CPU(s) list: # 在线CPU列表。CPU socket(s): # CPU插槽数。NUMA node(s): # NUMA节点。CPU family: # CPU系列。CPU MHz: # CPU主频。
2024-02-05 15:55:27 350
原创 锂电池基本知识与设计
之所以会有专卖的充电芯片,就是为了实现控制上述阶段,芯片监控充电电流,电压,甚至有温度监测、过压保护、短路保护等功能,从而更好的适应各种应用场景。4、恒压充电,也称CV充电,若以单节锂电池4.2V电压举例,恒压充电模式固定为4.2V,充电电流会逐渐减小;缺点:过度充电或者放电会产生不可逆的损伤,性能降低。优点:较高能量密度和较长使用寿命,放电率低,可进一步延长充电间隔时间。3、恒流充电,也称CC充电,此时充电电流较大,一般持续到接近满充电压;5、当充电电流小到某一个值时,充电结束。
2024-01-27 11:11:48 355
原创 产品防护等级
以IP55为例IP代表防护,55级代表等级,第一个数字:防固体物质等级,(二)第二个数字:防液体物质等级,意思就是5级防尘和防水。至于X及代表无的意思,比如IPX7,就仅代表7级防水。
2024-01-27 10:08:09 396
原创 PCB板材参数
TG:玻璃化温度,当温度升高到某一区域时,基板将由玻璃态转变为橡胶态,此时的温度点称为该板的玻璃化温度(TG),tgshi基材保持刚性的最高温度。DK:介电常数,通常表达某种材料存储电能能力的大小,值越小,存储电能能力越小,传输速度越快。TD:热分解温度,衡量板材耐热性的一个重要指标。DF:介质损耗,介质损耗越小,信号损耗也越小。
2024-01-27 10:03:27 403
原创 MTBF-平均故障时间
假设一款硬盘MTBF高达250小时,约285年,并不是说这个硬盘能够工作285年不出故障,由MTBF=1/λ可知,λ=1/MTBF=1/285年,即该硬盘的平均年故障率约为0.3%,一年内,平均一千块硬盘有3块硬盘会出故障。
2024-01-27 09:25:47 334
原创 CPU,内存和硬盘之间的关系
4、使用固态硬盘,NVMe型,此类型硬盘传输速度较SATA接口的快,设置虚拟内存在固态硬盘;计算机三大件:CPU,内存,硬盘,从运算速度来看,CPU>内存>固态硬盘>机械硬盘。(软件运行时需要从硬盘加载到内存进行运算,CPU对接内存)2、释放C盘空间,因为系统需要C盘空间当作虚拟内存;1、SSD下电状态已经存储了数据,不超过三个月。5、进行磁盘碎片整理(机械硬盘才需要碎片整理)内存的容量和速度决定软件运行时是否卡顿。硬盘的速度决定软件加载的时间。2、机械硬盘建议不超过六个月。
2024-01-27 09:07:32 616
原创 OrCAD Capture 元件位号Part Reference有下划线
OrCAD Capture 元件位号Part Reference有下划线
2023-06-20 19:00:37 692
原创 ESPI协议信号
ESPI,增强型串行外设接口,是为了替代LPC而设计,工作频率可达66M,1.8V电压。信号定义:CLK,DATA,CS,ALERT,RESET。ESPI_RESET:复位信号,主机发出,从机接收。ESPI_CS:片选信号,主机发出,通讯时拉低。ESPI_ALERT0:从机发给主机的警告信号。ESPI_CLK:时钟由主机发出,从机接收。ESPI_0/1/2/3:数据引脚,双向通讯。实测图,上方为CLK,下方为CS。
2023-04-24 14:01:09 1177
太阳能跟踪电路设计图纸,JLC EDA文件
2022-08-23
泰克USB2.0一致性测试指南2021-USB2.0-CTSOP
2022-08-17
硬件工程师甲方乙方的前景
2023-05-13
Arduino ESP32编译不通过,很奇怪
2022-12-26
供电切换电路怎么修改
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nginx 怎么设置接收网页提交的表单
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ubuntu发送邮件,已经输入所有指令了,咋还要我输入
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关于LINUX系统下载软件方式
2022-09-27
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