张连臣-CSDN博客

原创 VSCode中Ctags配置及下载链接

VScode中配置Ctags

2022-01-25 10:32:17 15726 13

原创 bootcamp 没有创建 win7 win8 安装盘

使用bootcamp安装window系统的时候发现bootcamp 没有创建win7 或 win8版本的安装盘，折腾了好久后终于搞定，方法如下：第一步：拷贝Boot Camp 到桌面这个步骤解决了下一步修改info.plist 文件没有权限的问题。第二步：修改info.plist 文件。

2017-03-12 13:00:23 10677

原创 STM8 中关于PWM1 和 PWM2的区别

STM8中PWM1和PWM2模式是时钟输出PWM波形控制的一个必选参数，使用库函数原型如下：void TIMx_OC2Init(TIM2_OCMode_TypeDef TIM2_OCMode, TIM2_OutputState_TypeDef TIM2_OutputState, uint16_t TIM2_Pu

2016-12-14 12:12:41 6005

原创 IAR中创建stm8s 工程时assert_failed函数引发的错误

使用IAR编译STM8S的工程时，编译器报错：这个错误的原因是在：stm8s_conf.h中声明了assert_failed函数，并没有定义，包含这个头文件是必须完成这个函数的定义，stm8s_conf.h中函数原型如下：

2016-11-29 21:01:36 2321

原创增强型N沟道mos管（如si2300）开关条件

增强型N沟道mos管（如si2300）开关条件增强型N沟道mos管的S（source源极）和 D（drain漏极）导通条件取决与Vgs，即漏极和源极间的电压压差。只有当 Vgs > 2.5V ，也就是 Vg（G极电压） — Vs（S极电压） > 2.5V，D极和 S极之间导通。例如： G极为3.3V， S极为0.1V， Vgs = 3.3 - 0.

2016-06-25 16:19:19 13840 1

原创增强型P沟道mos管（如si2333ds）开关条件

增强型P沟道mos管（如si2333ds）开关条件pmos管作为开关使用时，是由Vgs的电压值来控制S（source源极）和 D（drain漏极）间的通断。Vgs的最小阀值电压为：0.4v，也就是说当 S（source源极）电压 — G（gate栅极）极 S（source源极）电压 > 0.4V 时，源极和漏极导通。并且最大漏源电流和Vgs例如：

2016-06-25 14:42:33 21959 1

原创 Altium Designer 有用快捷设置

Altium designer 16 中栅格设置快捷键：Snap Grids(捕获栅格) 放置或移动元件，网络标号，导线等的鼠标移动距离。G键调整，在1， 5，10（mil或者mm）之间转换。如果过上面不满足的话可以按键：V+G+S ，在对话框中手动输入每次想要跳转的数值。Visible Grids

2016-06-19 22:13:04 1192

使用方法：打开Altium designer安装路径，检查安装路径下是否有PCB logo Creator，“Altium Designer\Examples\Scripts\Delphiscript Scripts\Pcb\PCB Logo Creato”，如有则可，如没有，需要网上下载该文件夹，可到官网上下载。 PCB快速掌握：[4]为pcb添加logo 2 准备好一张图片，用来作为logo，图片不要太大，不然时间会很长。 3 使用系统自带的画图工具将其打开，并另存问“单色bmp”格式，如图所示 4 打开Altium Designer，点击左上角DXP---Run Script 5 点击Browse，按照第一步的路径找到pcb logo creator 6 选择RunConverterScript，点击OK 7 点击load，载入之前保存的logo图片，可以根据需要选择各参数，然后选择convert，使其开始转换，根据滚动条显示转换需要的时间。 8 转换完成后，该logo就被放到了pcb中了，可以看看效果了。

2018-01-20

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